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M82200-10UM型PECVD 鍍膜設(shè)備
M82200-10UM型PECVD 鍍膜設(shè)備

參考價格

面議

型號

M82200-10UM型PECVD 鍍膜設(shè)備

品牌

電子科技

產(chǎn)地

湖南

樣本

暫無
中國電子科技集團公司第四十八研究所

高級會員

|

第1年

|

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工商已核實

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PECVD鍍膜設(shè)備采用直接式等離子體沉積方式,可生產(chǎn)出質(zhì)量**的晶體硅太陽能電池減反射膜,是業(yè)內(nèi)管徑、單管產(chǎn)能**的管式鍍膜設(shè)備。

單臺(5管)產(chǎn)能≥3600片/小時(單管裝片416片/批);

沉膜均勻性好,膜厚均勻性指標(biāo)可達:片內(nèi)≤3%、片間≤3%、批間≤3%;

350~580℃控溫范圍,同時滿足沉積氮化硅膜和退火工藝要求;

采用全套倍??刂葡到y(tǒng),自動化程度高( 提供MES接口、遠(yuǎn)程監(jiān)控等功能);

全自動上下舟系統(tǒng),一鍵全自動工藝和完善的保護報警功能;

送料機構(gòu)強度、精度、速度、穩(wěn)定性大幅優(yōu)于同類產(chǎn)品。

基本參數(shù)

成膜種類

氮化硅

裝片量與產(chǎn)能

416 片/批(156x156mm 方片),單臺5管產(chǎn)能≥3600/小時;

在線時間

98%;

設(shè)備功率

峰值功率280KW,平均功率≤70KW;

設(shè)備尺寸

7400mm(不含真空泵)×2110mm×3530mmL×W×H);

成膜質(zhì)量參數(shù)

成膜均勻性

片內(nèi)≤4%、片間≤3%、批間≤3%(膜厚80120nm);

折射率均勻性

片內(nèi)≤1.5%、片間≤1.5%、批間≤1.5%(折射率22.2);

溫控系統(tǒng)參數(shù)

恒溫區(qū)長度及精度

≤±1/1600mm 450℃時);

溫度控制范圍

200~580℃;

溫度控制方式

五段雙回路溫度控制;

真空系統(tǒng)參數(shù)

壓力控制

高精度VAT閥控制,控壓范圍220±40Pa;

石墨舟傳輸系統(tǒng)參數(shù)

石墨舟上料方式

全自動機械手上下舟,在線式/離線式對接插片機可選;

控制系統(tǒng)參數(shù)

推舟機構(gòu)

水平速度1~12000mm/min可調(diào),垂直速度1~150mm/min可調(diào),承重≥40KG;

控制方式

高性能工控計算機全自動控制工藝過程,并對工藝參數(shù)和工藝流程實時監(jiān)控;

基本參數(shù)

在線時間

98%

設(shè)備功率

峰值功率280KW,平均功率≤70KW

設(shè)備尺寸

7400mm(不含真空泵)×2110mm×3530mmL×W×H);


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10分

售后服務(wù)

10分

易用性

10分

性價比

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