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澤攸科技ZEL304G電子束光刻機(jī)（EBL）采用場(chǎng)發(fā)射電子槍，配合一體化的高速圖形發(fā)生系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體晶圓的高速、高分辨光刻。該系統(tǒng)標(biāo)配高精度激光干涉樣品臺(tái)，允許用戶實(shí)現(xiàn)大行程高精度拼接和套刻需求，在新材料、前沿物理研究、半導(dǎo)體、微電子、光子、量子研究領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。
產(chǎn)品特色
▲ 激光干涉樣品臺(tái)：先進(jìn)的激光干涉樣品臺(tái)，滿足大行程高精度拼接和套刻需求
▲ 場(chǎng)發(fā)射電子槍：高分辨場(chǎng)發(fā)射電子槍是光刻質(zhì)量的重要保證
▲ 圖形發(fā)生器：在保證超高速掃描的同時(shí)實(shí)現(xiàn)超高分辨率圖案繪制
樣品臺(tái)指標(biāo)
▲ 標(biāo)配：激光干涉樣品臺(tái)
▲ 樣品臺(tái)行程：≥105 mm
▲ 拼接精度：優(yōu)于50nm（平均值+ 1σ）
▲ 套刻精度：優(yōu)于50nm（平均值+ 1σ）
電子槍及成像指標(biāo)
▲ 肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍：加速電壓20V~30kV；旁側(cè)二次電子探測(cè)器和鏡筒內(nèi)電子探測(cè)器
▲ 圖像分辨率：≤1 nm @ 15 kV；≤1.5 nm @ 1 kV
▲ 束流密度：> 7000A/cm2；電子束流≥100nA
▲ *小束斑尺寸：≤2nm
光刻指標(biāo)
▲ 電子束閘：上升沿<100ns
▲ 寫視場(chǎng)：≥500×500 um
▲ *小單次曝光線寬：＜15nm（同時(shí)取決于工藝條件）
▲ 掃描速度：≥20MHz
圖形發(fā)生器參數(shù)
▲ 控制核心：高性能FPGA
▲ 停留時(shí)間*小增量：10ns
▲ **掃描速度：50MHz
▲ 圖形文件格式：GDSII、DXF、BMP等
▲ D/A分辨率：20位
▲ 法拉第杯束流測(cè)量：包含
▲ 支持的寫場(chǎng)大?。?0um~500um
▲ 臨近效應(yīng)校正：可選項(xiàng)
▲ 束閘支持：5V TTL
▲ 激光干涉位移臺(tái)：可選項(xiàng)
▲ 掃描方式：順序掃描（Z型）、循環(huán)掃描（S型）、螺旋型掃描等多種矢量掃描模式
▲ 曝光模式：支持場(chǎng)校準(zhǔn)、場(chǎng)拼接，支持套刻，支持多圖層自動(dòng)曝光
▲ 外接通道支持：支持電子束掃描、工件臺(tái)移動(dòng)、束閘通斷、二次電子檢測(cè)
選配附件
▲ 配套UPS不間斷電源
▲ 配套主動(dòng)減震臺(tái)，*低自然頻率2Hz
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