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由于LTPS TFT具有高電子遷移率，從而得到快速應(yīng)答。雖然電耗比具有低漏泄電流的Oxide TFT大，但一直應(yīng)用于消耗大部分電力的智能手機(jī)OLED顯示領(lǐng)域。

但*近在提高移動(dòng)和在穿戴設(shè)備的能效上有了新的技術(shù)，LTPO (Low Temperature Polycrystalline Oxide) TFT，此技術(shù)是電子高遷移率的LTPS TFT和低漏泄電流的Oxide TFT合成技術(shù)。在這個(gè)TFT中，Switching TFT 需要快速ON/OFF光線，使用了低漏泄電流的Oxide TFT。而Operating TFT需要通過(guò)調(diào)節(jié)光量進(jìn)行快速畫面切換，所以使用了具有高電子遷移率的LTPS TFT.

智能手表主要使用黑色背景，由于Switching的電耗比較高，采用LTPO TFT可降低約40%的電耗。因此，包括蘋果在內(nèi)的眾多智能設(shè)備制造商正在應(yīng)用或即將應(yīng)用LTPO. 另外，由于這種低電耗的優(yōu)勢(shì)，*近三星和蘋果等智能手機(jī)制造商正在積極開(kāi)發(fā)，目標(biāo)是將LTPO顯示屏搭載到高端智能手機(jī)上。

Oxide TFT中使用的IGZO薄膜仍在以Sputtering方式沉積，但厚度和成分均勻度的問(wèn)題，等離子體損傷導(dǎo)致物理電器特性降低以及濺射目標(biāo)均勻度的問(wèn)題。但是，當(dāng)應(yīng)用 ALD-IGZO時(shí)，可以在低溫度工藝下控制原子單位的厚度和組成，因?yàn)楣に囘^(guò)程中沒(méi)有等離子體損傷，因此可以實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的薄膜沉積。

通過(guò)用Thermal ALD的方法控制ALD循環(huán)比例，可以獲得目標(biāo)IGZO的原子組成(In:Ga:Zn)的薄膜。因此，這種方式能夠輕松的調(diào)節(jié)適合客戶元件結(jié)構(gòu)IGZO的組成。從而獲得優(yōu)于濺射方式的元件特性。

研發(fā)IGZO工藝用高生產(chǎn)率配置ALD系統(tǒng)，該系統(tǒng)采用新的技術(shù)，將多元系氧化物IGZO的組成比控制在個(gè)別應(yīng)用領(lǐng)域元件所需的組合比。特別是 GD Series的應(yīng)用，可在多個(gè)大面積基板上沉積ALD，有望在目前迅速應(yīng)用IGZO薄膜的LTPO TFT s元件中提供質(zhì)量競(jìng)爭(zhēng)力和高生產(chǎn)率。