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主要應(yīng)用：
-適用于半導(dǎo)體用薄膜（Al2O3， HfO2， ZrO2， TiO2， ZnO ……）
-CIGS太陽(yáng)能電池?zé)o鎘緩沖層沉積
-晶硅太陽(yáng)能電池表面鈍化層沉積
-硅基WVTR(水蒸氣透過(guò)率)的阻擋層
-Micro-OLED封裝層
-柔性襯底用阻擋層
-OLED封裝層
-柔性O(shè)LED顯示器、柔性O(shè)LED照明、量子點(diǎn)、鈣鈦礦LED、柔性太陽(yáng)能電池等高水分阻隔膜的卷對(duì)卷（R2R)ALD工藝：
-可用于 LTPO TFT IGZO薄膜沉積
特點(diǎn)：
1.ALD高k介質(zhì)，厚度均勻性好，保形步進(jìn)覆蓋。
2.先進(jìn)的工藝套件和小體積的短周期室
3.實(shí)現(xiàn)了ALD機(jī)構(gòu)(行波法)
4.小腳印全集成工藝模塊
5.過(guò)程控制方便，供氣線路長(zhǎng)度小。
暫無(wú)數(shù)據(jù)！
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