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HGL1151系列是集成了通用智能核心技術(shù)的半導(dǎo)體晶圓Low-K層開(kāi)槽設(shè)備，全自動(dòng)一站式加工，晶圓上料→預(yù)清洗+保護(hù)層涂布→激光開(kāi)槽→后清洗+干燥→晶圓下料，所有工藝過(guò)程一氣呵成。產(chǎn)品全系采用高性能激光器及空間光整形系統(tǒng)，標(biāo)配超高精密氣浮式高速加工平臺(tái)，切割過(guò)程實(shí)時(shí)監(jiān)控··實(shí)時(shí)糾偏等功能，確保Low-K晶圓開(kāi)槽的精度一致性和質(zhì)量的穩(wěn)定性。本產(chǎn)品的開(kāi)槽精度高，槽形優(yōu)異，尤其對(duì)熱影響區(qū)的控制達(dá)到國(guó)際**水準(zhǔn)。主要技術(shù)性能達(dá)到國(guó)內(nèi)**，部分技術(shù)性能超過(guò)國(guó)際同類產(chǎn)品，是全面替代進(jìn)口開(kāi)槽設(shè)備的**選擇。

Low-K激光開(kāi)槽工藝優(yōu)勢(shì)

? 非接觸加工、無(wú)物理應(yīng)力、無(wú)晶圓碎裂風(fēng)險(xiǎn)

? 通過(guò)動(dòng)態(tài)激光實(shí)時(shí)控制，工藝設(shè)置簡(jiǎn)單靈活

  ①自由改變開(kāi)槽寬度

  ②自由設(shè)置槽底平滑度

? 運(yùn)用方便，運(yùn)用成本低

  ①一次定位、一次清洗，

  ②工藝過(guò)程清潔

  ③無(wú)環(huán)境污染

  ④基本無(wú)耗材，運(yùn)用成本極低

技術(shù)原理

? 運(yùn)用高性能空間光整形技術(shù)按需調(diào)制輸出激光形態(tài)

  ①切割道兩側(cè)以極細(xì)的雙光束刻畫(huà)出邊界細(xì)槽

  ②以平頂多光束激光在邊界槽內(nèi)側(cè)切割道開(kāi)槽

? 運(yùn)用高性能實(shí)時(shí)動(dòng)態(tài)激光控制技術(shù)確保開(kāi)槽精度

  ①實(shí)時(shí)控制激光束對(duì)槽壁垂直度的加工精度

  ②實(shí)時(shí)控制激光束對(duì)槽底平整度的加工精度

? 超快速脈沖激光束對(duì)Low-K材料進(jìn)行精確去除

? 開(kāi)槽周邊熱影響區(qū)控制在5μm以內(nèi)

Low-K材料開(kāi)槽工藝制程

? Low-k（低介電常數(shù)）材料是線寬制程低于 65nm 以下的高性能集成電路所必須的絕緣材料

? Low-K 材料機(jī)械特性脆弱，易碎

? Low-K 材料與 Si 系材料的附著力低，易剝離易分層

? 帶有 Low-K 層的半導(dǎo)體晶圓無(wú)法承受傳統(tǒng)刀輪切割的機(jī)械沖擊帶有 Low-K 材料的晶圓在切割前，需導(dǎo)入 Low-K 開(kāi)槽工藝，以避免后續(xù)切割制程對(duì) Low-K 材料層造成傷害