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微波光電導(dǎo)衰減法-MDPmap晶圓片壽命檢測儀
微波光電導(dǎo)衰減法-MDPmap晶圓片壽命檢測儀

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型號

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產(chǎn)地

德國

樣本

暫無
束蘊(yùn)儀器(上海)有限公司

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產(chǎn)品介紹▼

MDPmap是一個緊湊的離線臺式檢測設(shè)備,主要被設(shè)計(jì)用于生產(chǎn)控制或研發(fā)、測量少子壽命、光電導(dǎo)率、電阻率和缺陷信息等參數(shù)。其工作狀態(tài)為穩(wěn)態(tài)或短脈沖激勵下(μ-PCD)。

MDPmap自動化的樣品識別和參數(shù)設(shè)置可以使該儀器方便地適應(yīng)各種不同的樣品,包括從生長的晶圓到高達(dá)95%的金屬化晶圓之間不同制備階段的各種外延片和晶圓片。

MDPmap主要優(yōu)點(diǎn)是其高度的靈活性,它允許集成多達(dá)4個激光器,用于從超低注入到高注入的與注入水平相關(guān)的壽命測量,或者通過使用不同的激光波長提取深度信息。

設(shè)備特點(diǎn)▼

>>靈敏度:對外延工藝監(jiān)控和不可見缺陷檢測,具有可視化測試的較高分辨率

>>測量速度:6英寸硅晶圓片,1mm分辨率 ,小于5分鐘

>>壽命測試范圍: 20納秒到幾十毫秒

>>沾污檢測:源自坩堝和生長設(shè)備的金屬(Fe)污染

>>測量能力:從初始切割的晶圓片到所有工藝加工的樣品

>>靈活性:允許外部激光通過觸發(fā)器,與探測模塊耦合

>>可靠性:模塊化和緊湊臺式儀器,更高可靠性,正常運(yùn)行時間> 99%

>>重現(xiàn)性: > 99.5%

>>電阻率:無需時常校準(zhǔn)的電阻率面掃描

Lifetime map of passivated multicrystalline silicon

Iron contamination map of multicrystalline silicon

Bor oxygen map of mono silicon

Trap density map of mono silicon

設(shè)備參數(shù)▼

樣品尺寸

5mm—300mm(300mm為標(biāo)配,可根據(jù)需求提升至450mm)

壽命范圍

20ns到幾毫秒

電阻率

0.2 - 103 Ohm cm

電導(dǎo)類型

p/n

材質(zhì)

硅晶圓,外延層,部分或完全加工晶圓,化合物半導(dǎo)體等

測量屬性

少數(shù)載流子壽命、光電導(dǎo)性

激勵源

可選四種不同波長(355nm—1480nm),默認(rèn)值為980nm

大小

680 x 380 x 450 mm, 重量: 65 kg

電源

100-250V,50/60 Hz, 5A

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10分

售后服務(wù)

10分

易用性

10分

性價比

10分
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