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主要特點：
設備特點：
1、槽式浸泡與單片旋轉噴淋方式相結合，提高產能
2、高壓或二流體噴淋可徹底除去光刻膠
3、基片干進濕傳干出
4、去膠液回收、循環(huán)過濾再使用，降低用戶成本
5、貴重金屬回收
主要參數(shù):
| 主要參數(shù) | 片盒數(shù)量 | 2CS&2LP |
配置 | 1Soak+1Stripper+1cleaning | |
wafer 類型 | 圓片，方片 | |
| wafer 尺寸（mm） | 50-300 | |
| 產能（WPH） | 40 | |
| 化學藥液 | NMP、DMSO | |
| 襯底材料 | Si、Glass、Sapphire、GaN、GaAs、SiC、LiTaO3、Li3PO4 | |
| 適用工藝 | Lift-off、stripper | |
| 干燥模式 | Spin Dry+N2 Dry |
暫無數(shù)據(jù)！
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