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碳化硅材料研究現(xiàn)狀
中國(guó)粉體網(wǎng)訊 半導(dǎo)體器件是現(xiàn)代工業(yè)整機(jī)設(shè)備的核心,廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、消費(fèi)類(lèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車(chē)電子等核心領(lǐng)域,半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)主要由四個(gè)基本部分組成:集成電路、光電器件、分立器件、傳感器,其中集成電路占到了80%以上,因此通常又將半導(dǎo)體和集成電路等價(jià)。集成電路,按照產(chǎn)品種類(lèi)又主要分為四大類(lèi):微處理器、存儲(chǔ)器、邏輯器件、模擬器件。然而隨著半導(dǎo)體器件應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)大,許多特殊場(chǎng)合要求半導(dǎo)體能夠在高溫、強(qiáng)輻射、大功率等環(huán)境下依然能夠堅(jiān)持使用、不損壞,第一、二代半導(dǎo)體材料便無(wú)能為力,于是第三代半導(dǎo)體材料便應(yīng)運(yùn)而生。目前,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料以更大..【詳細(xì)】
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