中國(guó)粉體網(wǎng)訊 近日，山西省科學(xué)技術(shù)廳發(fā)布重要通知，經(jīng)2025年5月19日省科技廳第13次黨組（擴(kuò)大）會(huì)議審議通過(guò)，同意7項(xiàng)省科技重大專(zhuān)項(xiàng)計(jì)劃“揭榜掛帥”（半導(dǎo)體與新材料領(lǐng)域）項(xiàng)目延期至2025年12月。這一舉措旨在給予科研團(tuán)隊(duì)更充足的時(shí)間，全力攻克關(guān)鍵核心技術(shù)，推動(dòng)山西在半導(dǎo)體與新材料領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)飛躍，助力產(chǎn)業(yè)升級(jí)。
此次延期的7個(gè)項(xiàng)目主要是半導(dǎo)體與新材料領(lǐng)域，其中包含三項(xiàng)碳化硅單晶材料及設(shè)備項(xiàng)目。
大尺寸4H-SiC單晶襯底材料制備產(chǎn)業(yè)化技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目
該項(xiàng)目由山西爍科晶體有限公司發(fā)起需求，河北普興電子科技股份有限公司揭榜。項(xiàng)目自2022年1月啟動(dòng)，原計(jì)劃2024年12月完成，此次延期至2025年12月。
SiC單晶襯底作為制造高性能半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵材料，在新能源汽車(chē)、5G通信等領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用。4H-SiC由于其優(yōu)異的物理性能而被認(rèn)為是最適合用于高功率和高頻器件的半導(dǎo)體材料之一，目前，用于功率器件制造的6英寸4H-SiC襯底正在大規(guī)模生產(chǎn)中，而大尺寸的4H-SiC單晶襯底制備技術(shù)難度極大，此前，國(guó)內(nèi)相關(guān)技術(shù)受?chē)?guó)外限制，嚴(yán)重制約產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
河北普興電子科技股份有限公司隸屬中國(guó)電子科技集團(tuán)，前身是中電科集團(tuán)第十三研究所半導(dǎo)體材料專(zhuān)業(yè)部硅外延課題組，是國(guó)家認(rèn)定的高新技術(shù)和集成電路生產(chǎn)企業(yè)，致力于高性能半導(dǎo)體外延材料的研發(fā)和生產(chǎn)。
8英寸SiC單晶生長(zhǎng)設(shè)備研發(fā)項(xiàng)目
該項(xiàng)目山西爍科晶體有限公司聯(lián)合中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所，致力于研發(fā)8英寸SiC單晶生長(zhǎng)設(shè)備。該項(xiàng)目延期至2025年12月。
碳化硅制造裝備是碳化硅技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)，碳化硅單晶生長(zhǎng)爐的技術(shù)水平、工藝能力及自主保障是碳化硅材料向大尺寸、高良率方向發(fā)展的關(guān)鍵，也是牽引第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向低成本、規(guī)�；l(fā)展的主要因素。目前，國(guó)際上先進(jìn)的SiC單晶生長(zhǎng)設(shè)備被少數(shù)企業(yè)壟斷，該項(xiàng)目的成功研發(fā)，將填補(bǔ)國(guó)內(nèi)在這一領(lǐng)域的技術(shù)空白，提升我國(guó)SiC晶體生產(chǎn)的自主化水平，推動(dòng)山西在半導(dǎo)體高端裝備制造領(lǐng)域嶄露頭角。
中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所成立于1962年，是我國(guó)以智能制造、微電子裝備及應(yīng)用、碳化硅裝備及應(yīng)用、新能源裝備及應(yīng)用等產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)的骨干單位。多年來(lái)，二所立足自主裝備，與產(chǎn)業(yè)融合，形成了獨(dú)具特色的高端智能制造和工藝技術(shù)系統(tǒng)集成的能力。
SiC晶體激光誘導(dǎo)剝離工藝與裝備研發(fā)
該項(xiàng)目由中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所發(fā)起需求，河北同光半導(dǎo)體股份有限公司揭榜。
激光剝離技術(shù)可將晶錠加工成晶片，是多線切割的替代技術(shù)。相比之下，激光剝離技術(shù)更適合材料成本高、晶錠長(zhǎng)度短的硬脆晶體加工領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)晶體加工成本的大幅下降，并提高加工效率與加工質(zhì)量。同時(shí)隨著襯底尺寸擴(kuò)徑、廠商擴(kuò)產(chǎn)，激光切割設(shè)備經(jīng)濟(jì)型增強(qiáng)，將有助于碳化硅襯底產(chǎn)量進(jìn)一步提升，降低襯底成本并加速碳化硅器件的滲透。
2022年，中電科二所在SiC激光剝離設(shè)備研制上取得突破性進(jìn)展，先后完成單機(jī)設(shè)備調(diào)試、碳化硅SBD整線工藝調(diào)試。
根據(jù)《山西省人民政府辦公廳關(guān)于印發(fā)山西省科技計(jì)劃項(xiàng)目管理辦法的通知》等相關(guān)規(guī)定，此次項(xiàng)目延期是綜合考慮科研實(shí)際進(jìn)展與項(xiàng)目難度后做出的審慎決策。
來(lái)源：
山西省科學(xué)技術(shù)廳、企業(yè)官網(wǎng)、山西科技報(bào)新媒體
（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/空青）
注：圖片非商業(yè)用途，存在侵權(quán)告知?jiǎng)h除
