在第三代半導體碳化硅（SiC）的量產戰(zhàn)場上，涂層工藝的 1% 性能提升，能讓器件良率飆升 8%，單爐次成本直降 3 萬元！從外延生長到刻蝕工藝，每一道涂層工序都是決定產品成敗的關鍵防線。

2025年8月20-21日在江蘇 • 蘇州由中國粉體網主辦的第三代半導體SiC晶體生長及晶圓加工技術研討會現(xiàn)場，深圳市志橙半導體材料股份有限公司攜四大顛覆性涂層解決方案重磅登場，直擊行業(yè)痛點：

✅ SiC 涂層產品及解決方案：讓設備壽命延長 3 倍，成本直降 50%

✅ TaC 涂層產品及解決方案：突破刻蝕速率瓶頸，效率提升 40%

✅ Etch SiC 產品及解決方案：攻克刻蝕損傷難題，良率提高 25%

✅ 擴散氧化 SiC 產品及解決方案：實現(xiàn)均勻氧化，器件性能躍升 30%

🔥 四大王牌產品，如何改寫行業(yè)規(guī)則？

1️⃣ SiC 涂層產品及解決方案 —— 設備的「防護鎧甲」

傳統(tǒng)涂層在高溫、強腐蝕環(huán)境下壽命短，導致設備頻繁更換，單臺維護成本超 50 萬元 / 年！志橙 SiC 涂層采用納米級梯度沉積技術，實現(xiàn)：

• 壽命延長 3 倍：在 1600℃高溫下穩(wěn)定服役超 1000 小時

• 成本腰斬：減少設備更換頻次，單臺年節(jié)省成本超 30 萬元

• 全場景適配：兼容單晶爐、外延設備等 8 類主流半導體裝備

2️⃣ TaC 涂層產品及解決方案 —— 刻蝕工藝的「速度引擎」

SiC 刻蝕速率慢、效率低，是制約產能的核心難題！志橙 TaC 涂層通過超硬納米復合結構，達成：

• 刻蝕速率提升 40%：單位時間產能翻倍，交貨周期縮短一半

• 表面質量飛躍：粗糙度降低至 0.5nm，刻蝕損傷減少 60%

• 工藝窗口拓寬：適配多種刻蝕氣體，參數(shù)調整更靈活

3️⃣ Etch SiC 產品及解決方案 —— 良率提升的「終極武器」

刻蝕過程中的材料損傷，導致 SiC 晶圓良率不足 60%！志橙創(chuàng)新方案融合離子束輔助沉積技術，實現(xiàn)：

• 良率飆升 25%：有效抑制刻蝕缺陷，良品率突破 85% 大關

• 缺陷深度驟降：將刻蝕損傷層厚度從 500nm 壓縮至 100nm

• 工藝穩(wěn)定性拉滿：批次間一致性誤差＜3%，量產更可靠

  
  

4️⃣ 擴散氧化 SiC 產品及解決方案 —— 性能突破的「隱形翅膀」

氧化層均勻性差，直接導致 SiC 器件擊穿電壓下降 15%！志橙方案采用原子層精準調控技術，達成：

• 均勻性誤差＜1%：氧化層厚度一致性達行業(yè)頂尖水平

• 性能躍升 30%：器件擊穿電壓、可靠性顯著提升

• 工藝溫度降低：在 1200℃實現(xiàn)高質量氧化，能耗減少 20%

  
  

📢 參會解鎖「王炸權益」，錯過再無！

1️⃣ 現(xiàn)場實驗觀摩：直擊四大涂層方案實測效果，見證性能提升數(shù)據（限前 15 名預約）

2️⃣ 免費工藝診斷：志橙專家團隊一對一分析產線問題，出具定制優(yōu)化方案

3️⃣ 展會專屬政策：現(xiàn)場簽約享首單鉅惠 + 全年技術支持服務

別讓‘再等等’成為企業(yè)發(fā)展的絆腳石！

現(xiàn)在行動，聯(lián)系會務組鎖定參會名額，8 月 21 日，蘇州見真章！

現(xiàn)在掃碼聯(lián)系會務組鎖定席位↓↓↓

會務組緊急通道

📞 段經理：13810445572（微信同號，備注「志橙」優(yōu)先對接）

📩 郵箱：duanwanwan@cnpowder.com

📍 坐標：蘇州•白金漢爵大酒店（8 月 20-21 日 9:00-17:00）