在第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)的量產(chǎn)戰(zhàn)場上,涂層工藝的 1% 性能提升,能讓器件良率飆升 8%,單爐次成本直降 3 萬元!從外延生長到刻蝕工藝,每一道涂層工序都是決定產(chǎn)品成敗的關(guān)鍵防線。2025年8月20-21日在江蘇[更多]
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