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晶圓盒清洗機(jī)（FOUP/FOSB Cleaner）是半導(dǎo)體制造中用于清潔存儲晶圓的容器（如Front Opening Unified Pod, FOUP）的專用設(shè)備。晶圓盒在運(yùn)輸、存儲過程中易吸附環(huán)境污染物（如顆粒、有機(jī)物、金屬離子等），若未徹底清潔，可能導(dǎo)致晶圓表面污染，影響良率。該設(shè)備通過物理或化學(xué)手段去除盒內(nèi)殘留雜質(zhì)，確保晶圓存儲環(huán)境的高度潔凈，是半導(dǎo)體前道制程（FEOL）與后道封裝（BEOL）的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

核心技術(shù)原理

清洗方式

濕法清洗：采用化學(xué)溶劑（如DIW去離子水、IPA醇類、酸性/堿性溶液）結(jié)合超聲波或噴淋，溶解并沖刷污染物。

干法清洗：利用等離子體、紫外線或高壓氣流去除有機(jī)物或顆粒，適用于敏感材料。

復(fù)合清洗：濕法+干法結(jié)合，提升清潔效率與均勻性。

污染物去除機(jī)制

顆粒清除：通過高速流體沖刷（如高壓噴淋、兆聲波空化效應(yīng)）剝離微小顆粒。

有機(jī)物分解：紫外線或臭氧氧化分解有機(jī)殘留，等離子體增強(qiáng)反應(yīng)活性。

金屬離子去除：酸性/螯合劑溶液溶解金屬污染物，配合DIW沖洗防止二次污染。

設(shè)備結(jié)構(gòu)與核心組件

進(jìn)料系統(tǒng)

自動裝載機(jī)構(gòu)：支持FOUP/FOSB的機(jī)械臂抓取或傳送帶輸入，兼容多尺寸晶圓盒（如12寸、14寸）。

防塵罩設(shè)計(jì)：防止外界顆粒進(jìn)入清洗腔，保持潔凈環(huán)境。

清洗模塊

超聲波清洗槽：高頻超聲波（80kHz~1MHz）產(chǎn)生空化效應(yīng)，剝離頑固顆粒和有機(jī)物。

噴淋臂與旋轉(zhuǎn)臺：360°噴淋覆蓋盒體內(nèi)部，旋轉(zhuǎn)臺確保清洗均勻性。

等離子體模塊（可選）：用于去除殘留有機(jī)物或活化表面，提升后續(xù)工藝兼容性。

干燥系統(tǒng)

熱氮烘干：高溫氮?dú)獯祾呖焖俑稍?，避免水漬殘留。

真空干燥腔：低溫抽真空脫水，適用于敏感材料晶圓盒。

IPA（異丙醇）脫水：蒸汽置換水分，無接觸干燥防損傷。

控制與監(jiān)測系統(tǒng)

PLC+HMI人機(jī)界面：預(yù)設(shè)清洗程序（如時(shí)間、溫度、流速），支持參數(shù)自定義與數(shù)據(jù)存儲。

顆粒檢測傳感器：實(shí)時(shí)監(jiān)測清洗后晶圓盒的潔凈度（如激光粒子計(jì)數(shù)器）。

RFID識別：讀取晶圓盒ID，自動匹配清洗工藝參數(shù)。

廢氣與廢液處理

酸堿中和系統(tǒng)：處理化學(xué)液排放，符合環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。

排風(fēng)過濾裝置：活性炭吸附或化學(xué)洗滌塔處理揮發(fā)性有機(jī)物（VOC）。

應(yīng)用場景

前道制程（FEOL）

光刻前晶圓盒清潔，避免運(yùn)輸過程中吸附的顆粒污染晶圓。

蝕刻/沉積工藝后存儲容器的污染物去除，防止交叉污染。

后道封裝（BEOL）

封裝測試環(huán)節(jié)的老化晶圓盒翻新，延長設(shè)備使用壽命。

存儲卡匣（如FOSB）的定期維護(hù)，確保芯片運(yùn)輸潔凈度。

特殊工藝需求

第三代半導(dǎo)體（SiC/GaN）晶圓盒清潔，適應(yīng)高硬度材料特性。

先進(jìn)封裝（如Chiplet、3D NAND）中微小結(jié)構(gòu)晶圓盒的高精度清洗。