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原子層沉積（Atomic layer deposition， ALD）是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替的通入反應器，化學吸附在沉積襯底上并反應形成沉積膜的一種方法，是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式逐層的鍍在襯底表面的方法。因此，它是一種真正的“納米”技術(shù)，以精確控制方式實現(xiàn)納米級的超薄薄膜沉積。由于ALD利用的是飽和化學吸附的特性，因此可以確保對大面積、多空、管狀、粉末或其他復雜形狀基體的高保形的均勻沉積。

美國ARRADIANCE公司的GEMStar XT系列臺式 ALD系統(tǒng)，在小巧的機身（78 x56 x28 cm）中集成了原子層沉積所需的所有功能，可*多容納9片8英寸基片同時沉積。GEMStar XT全系配備熱壁，結(jié)合前驅(qū)體瓶加熱，管路加熱，橫向噴頭等設(shè)計， 使溫度均勻性高達99.9%，氣流對溫度影響減少到0.03%以下。高溫度穩(wěn)定度的設(shè)計不僅實現(xiàn)在 8英寸基體上膜厚的不均勻性小于1%，而且更適合對超高長徑比的孔徑結(jié)構(gòu)等3D結(jié)構(gòu)實現(xiàn)均勻薄膜覆蓋，可實現(xiàn)對高達1500：1長徑比微納深孔內(nèi)部的均勻沉積。

GEMStar XT 產(chǎn)品特點：

* 300℃ 鋁合金熱壁，對流式溫度控制

* 175℃溫控150ml前驅(qū)體瓶，200℃溫控輸運支管

* 可容納多片4，6，8英寸樣品同時沉積

* 可容納1.25英寸/32mm厚度的基體

* 標準CF-40接口

* 可安裝原位測量或粉末沉積模塊等選件

* 等離子體輔助ALD插件

* 多種配件可供選擇

GEMStar XT 產(chǎn)品型號：

GEMStar -4 XT：

* **4英寸/100 mm基片沉積

* 單路前驅(qū)體輸運支管， 4路前驅(qū)體瓶接口

* 不可升級為等離子體增強ALD

GEMStar -6/8 XT：

* **6英寸(150mm)/8英寸(200mm)基片沉積

* 雙路前驅(qū)體輸運支管， 8路前驅(qū)體瓶和CF-40接口

* 可升級為等離子體增強ALD

GEMStar -8 XT-P：

* **8英寸/200mm基片沉積

* 雙路前驅(qū)體輸運支管， 8路前驅(qū)體瓶和CF-40接口

* 裝備高性能ICP等離子發(fā)生器

13.56 MHz 的等離子源非常緊湊，只需風冷，**運行功率達300W。

* 標配3組氣流質(zhì)量控制計（MFC）控制的等離子氣源線，和一條MFC控制的運載氣體線，使難以沉積的氧化物、氮化物、金屬也可以實現(xiàn)均勻沉積。

豐富配件：

多樣品托盤：

* 多樣品夾具，樣品尺寸（8"， 6"， 4"）向下兼容。

* 多基片夾具，*多同時容納9片基片。

溫控熱托盤：

* 可加熱樣品托盤，**溫度500℃，可實現(xiàn)熱盤-熱壁復合加熱方式。

尾氣處理系統(tǒng)：

臭氧發(fā)生器：

粉末旋轉(zhuǎn)沉積罐模塊：

配合熱壁加熱方式，進一步實現(xiàn)對微納粉末樣品全保型薄膜均勻沉積包覆。

手套箱接口：

可從側(cè)面或背面**接入手套箱，與從底部接入手套箱不同，不占用手套箱空間。由于主機在手套箱側(cè)面，反應過程中不對手套箱有加熱效應，不影響手套箱內(nèi)溫度。