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GEMStar XT臺式三維原子層沉積系統(tǒng)ALD
GEMStar XT臺式三維原子層沉積系統(tǒng)ALD

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美國

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暫無
北京裕隆時代科技有限公司

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臺式三維原子層沉積系統(tǒng)ALD

原子層沉積(Atomic layer deposition, ALD)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替的通入反應(yīng)器,化學(xué)吸附在沉積襯底上并反應(yīng)形成沉積膜的一種方法,是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式逐層的鍍在襯底表面的方法。因此,它是一種真正的“納米”技術(shù),以精確控制方式實(shí)現(xiàn)納米級的超薄薄膜沉積。由于ALD利用的是飽和化學(xué)吸附的特性,因此可以確保對大面積、多空、管狀、粉末或其他復(fù)雜形狀基體的高保形的均勻沉積。

美國ARRADIANCE公司的GEMStar XT系列臺式 ALD系統(tǒng),在小巧的機(jī)身(78 x56 x28 cm)中集成了原子層沉積所需的所有功能,可*多容納9片8英寸基片同時沉積。GEMStar XT全系配備熱壁,結(jié)合前驅(qū)體瓶加熱,管路加熱,橫向噴頭等設(shè)計(jì), 使溫度均勻性高達(dá)99.9%,氣流對溫度影響減少到0.03%以下。高溫度穩(wěn)定度的設(shè)計(jì)不僅實(shí)現(xiàn)在 8英寸基體上膜厚的不均勻性小于1%,而且更適合對超高長徑比的孔徑結(jié)構(gòu)等3D結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)均勻薄膜覆蓋,可實(shí)現(xiàn)對高達(dá)1500:1長徑比微納深孔內(nèi)部的均勻沉積。

GEMStar XT 產(chǎn)品特點(diǎn):

* 300℃ 鋁合金熱壁,對流式溫度控制

* 175℃溫控150ml前驅(qū)體瓶,200℃溫控輸運(yùn)支管

* 可容納多片4,6,8英寸樣品同時沉積

* 可容納1.25英寸/32mm厚度的基體

* 標(biāo)準(zhǔn)CF-40接口

* 可安裝原位測量或粉末沉積模塊等選件

* 等離子體輔助ALD插件

* 多種配件可供選擇

GEMStar XT 產(chǎn)品型號:

GEMStar -4 XT

* **4英寸/100 mm基片沉積

* 單路前驅(qū)體輸運(yùn)支管, 4路前驅(qū)體瓶接口

* 不可升級為等離子體增強(qiáng)ALD

GEMStar -6/8 XT

* **6英寸(150mm)/8英寸(200mm)基片沉積

* 雙路前驅(qū)體輸運(yùn)支管, 8路前驅(qū)體瓶和CF-40接口

* 可升級為等離子體增強(qiáng)ALD

GEMStar -8 XT-P

* **8英寸/200mm基片沉積

* 雙路前驅(qū)體輸運(yùn)支管, 8路前驅(qū)體瓶和CF-40接口

* 裝備高性能ICP等離子發(fā)生器

13.56 MHz 的等離子源非常緊湊,只需風(fēng)冷,**運(yùn)行功率達(dá)300W。

* 標(biāo)配3組氣流質(zhì)量控制計(jì)(MFC)控制的等離子氣源線,和一條MFC控制的運(yùn)載氣體線,使難以沉積的氧化物、氮化物、金屬也可以實(shí)現(xiàn)均勻沉積。

豐富配件:

多樣品托盤:

* 多樣品夾具,樣品尺寸(8", 6", 4")向下兼容。

* 多基片夾具,*多同時容納9片基片。

溫控?zé)?/em>托盤:

* 可加熱樣品托盤,**溫度500℃,可實(shí)現(xiàn)熱盤-熱壁復(fù)合加熱方式。

尾氣處理系統(tǒng):

臭氧發(fā)生器:

粉末旋轉(zhuǎn)沉積罐模塊:

配合熱壁加熱方式,進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)對微納粉末樣品全保型薄膜均勻沉積包覆。

手套箱接口:

可從側(cè)面或背面**接入手套箱,與從底部接入手套箱不同,不占用手套箱空間。由于主機(jī)在手套箱側(cè)面,反應(yīng)過程中不對手套箱有加熱效應(yīng),不影響手套箱內(nèi)溫度。

應(yīng)用案例

應(yīng)用領(lǐng)域

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10分

易用性

10分

性價(jià)比

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