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SDI少數(shù)載流子壽命監(jiān)測儀器已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體的研究單位與制造企業(yè)。目前在世界范圍內(nèi)已經(jīng)有超過400臺的SDI設(shè)備在使用當(dāng)中，其非接觸的檢測方式與高精度的檢測數(shù)據(jù)已經(jīng)在行業(yè)內(nèi)得到廣泛的承認(rèn)。其檢測結(jié)果快速圖形輸出的特性，可以使用戶簡單直觀的獲得整個晶片的少于載流子壽命及金屬污染的數(shù)據(jù)信息。
技術(shù)參數(shù)：
可以非接觸式地測量硅片內(nèi)部的少數(shù)載流子壽命與擴(kuò)散長。同時可以定量與定性的量測沉降到硅與二氧化硅內(nèi)部的鐵，銅，鈉等游離的金屬污染。**金屬污染濃度分辨率可以達(dá)到1E8的級別。
主要特點(diǎn)：
高金屬污染濃度分別率：1E8
可以對整個硅片進(jìn)行掃描，給出整個硅片的少數(shù)載流子壽命與金屬污染的具體數(shù)據(jù)并配合圖形
硅片表面有無二氧化硅薄膜不會對測量造成影響
不同型號設(shè)備適用于研究院所與生產(chǎn)企業(yè)
暫無數(shù)據(jù)！
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