中國(guó)粉體網(wǎng)訊  AlN有很高的熱導(dǎo)率，理論值達(dá)到320W/(m·K)，是Al2O3的7-10倍，憑借如此高的“散熱基因”，氮化鋁自然成為了高效散熱需求領(lǐng)域的重點(diǎn)關(guān)注對(duì)象。   目前來講，氮化鋁在高導(dǎo)熱領(lǐng)域的應(yīng)用主要集中在兩個(gè)方面：封裝基板和導(dǎo)熱填料。       封裝基板AlN：理想的電子封裝基片材料        封裝基板主要利用材料本身具有的高熱導(dǎo)率，將熱量從芯片(熱源)導(dǎo)出，實(shí)現(xiàn)與外界環(huán)境的熱交換。對(duì)于功率半導(dǎo)體器件而言，封裝基板必須滿足以下要求：(1)高熱導(dǎo)率；(2)與芯片材料熱膨脹系數(shù)匹配；(3)耐熱性好..【詳細(xì)】