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本期帶來的是一篇PicoFemto原位樣品桿在新一代半導(dǎo)體器件研發(fā)中的應(yīng)用，場效應(yīng)晶體管在半導(dǎo)體行業(yè)有著廣泛的應(yīng)用。其中，由壓電材料（氧化鋅等）作為門控的場效應(yīng)管在近年獲得了廣泛關(guān)注。本文利用STM-TEM原位樣品桿搭載單根氧化鋅納米線，并在TEM中原位操縱、測量和觀測。研究表明，當(dāng)我們使用STM探針對氧化鋅納米線施加2.63%的應(yīng)力后，該材料的電導(dǎo)率會驟降2個數(shù)量級。結(jié)合TEM的觀測結(jié)果我們發(fā)現(xiàn)，這種電導(dǎo)率的變化與接觸點處肖克力勢壘無關(guān)，而是源自氧化鋅納米線橫向壓電潛能帶來的載流子損耗。相關(guān)研究由日本NIMS、中科院物理所和量子物質(zhì)合作創(chuàng)新中心共同完成，成果發(fā)表在《Nano Energy》上（Nano Energy （2015）13， 233-239）。

   澤攸科技的PicoFemto原位樣品桿在該研究中穩(wěn)定而精確地實現(xiàn)了搭載樣品、電學(xué)測量以及施加應(yīng)力的任務(wù)。

   氧化鋅納米線一端被固定在金針上，另一端通過鎢針對其施加應(yīng)力。

    理論模型對實驗結(jié)果的支持

   應(yīng)用器件模型