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?碳化硅（SiC）具有耐高溫、耐腐蝕、耐磨損、高導(dǎo)熱、抗氧化性以及高強(qiáng)度、低密度、介電性能可設(shè)計(jì)等優(yōu)異特性，是極具應(yīng)用潛力的導(dǎo)熱吸波型材料。在半導(dǎo)體材料中，碳化硅的高導(dǎo)熱系數(shù)奠定了其在第三代半導(dǎo)體材料中的主導(dǎo)地位，碳化硅器件可在高溫下長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定工作，促進(jìn)了其在新一代芯片技術(shù)和導(dǎo)熱散熱技術(shù)領(lǐng)域的推廣應(yīng)用

?近期，中國(guó)粉體網(wǎng)開(kāi)啟第九屆“粉體行業(yè)獎(jiǎng)項(xiàng)年度評(píng)選”活動(dòng)?！胺垠w行業(yè)獎(jiǎng)項(xiàng)年度評(píng)選”是由中國(guó)粉體網(wǎng)聯(lián)合北京粉體技術(shù)協(xié)會(huì)于2013年共同發(fā)起，是粉體行業(yè)最具權(quán)威性的獎(jiǎng)項(xiàng)之一。為了助推行業(yè)邁向更高臺(tái)階，2023粉體行業(yè)年度評(píng)選共設(shè)立四個(gè)獎(jiǎng)項(xiàng)：“最受關(guān)注產(chǎn)品、最受關(guān)注企業(yè)、行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)、售后服務(wù)十佳企業(yè)”，通

?近日，陜西省科技廳公布了2023年度陜西省工程技術(shù)研究中心績(jī)效評(píng)價(jià)結(jié)果，依托西安博爾新材料有限責(zé)任公司與西安科技大學(xué)聯(lián)合共建的四主體一聯(lián)合陜西省硅鎂碳微納米材料工程技術(shù)研究中心（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“工程中心”）獲評(píng) “優(yōu)秀”等級(jí)。陜西省硅鎂碳微納米工程技術(shù)研究中心（四主體一聯(lián)合）是根據(jù)西安博爾新材料有限責(zé)任公

?日前，陜西省科學(xué)技術(shù)廳發(fā)布了《關(guān)于公示2023年陜西省瞪羚企業(yè)名單的通知》，西安博爾新材料有限責(zé)任公司被認(rèn)定為陜西省潛在瞪羚企業(yè)。什么是“瞪羚企業(yè)”？“瞪羚企業(yè)”是指以科技創(chuàng)新或商業(yè)模式創(chuàng)新為支撐，進(jìn)入高成長(zhǎng)期的中小企業(yè)。它具有技術(shù)含量高、成長(zhǎng)速度快、盈利能力強(qiáng)、產(chǎn)業(yè)模式新、發(fā)展?jié)摿Υ蟮忍攸c(diǎn)，擁有自

?十年耕耘，砥礪前行十載年華，初心不忘十年之約述說(shuō)過(guò)去，開(kāi)啟未來(lái)慶典啟幕2023年9月12日，西安博爾新材料有限責(zé)任公司成立十周年慶典于公司航空基地廠(chǎng)區(qū)圓滿(mǎn)舉辦！在這個(gè)極具意義的日子里，公司全體同仁歡聚一堂，共同慶祝和見(jiàn)證博爾的十周歲生日。 領(lǐng)導(dǎo)致辭儀式開(kāi)始，公司董事長(zhǎng)王曉剛深情致辭，深切回顧西安博爾

?2023年9月25日，經(jīng)西安市科學(xué)技術(shù)局研究決定，共認(rèn)定93家市級(jí)工程技術(shù)研究中心，其中西安博爾寬禁帶半導(dǎo)體芯片基礎(chǔ)材料工程技術(shù)研究中心成功入選。寬禁帶半導(dǎo)體芯片基礎(chǔ)材料工程技術(shù)研究中心“西安市寬禁帶半導(dǎo)體芯片基礎(chǔ)材料工程技術(shù)研究中心”以國(guó)家中長(zhǎng)期科學(xué)與技術(shù)發(fā)展規(guī)劃為指導(dǎo)，面向我省半導(dǎo)體芯片晶圓基礎(chǔ)

?碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)作為關(guān)鍵材料也開(kāi)始廣為人知，但大多數(shù)人并不知道的是，最常見(jiàn)并廣泛用于耐火、超硬磨料、先進(jìn)陶瓷等行業(yè)的其實(shí)是α相碳化硅，而它與真正用于半導(dǎo)體的低溫穩(wěn)定β相碳化硅相去甚遠(yuǎn)。β-SiC，屬立方晶系(金剛石晶型)，也就是立方碳化硅。它除了在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中用于制備碳化硅晶

?SiC具有耐高溫、耐腐蝕、耐磨損、高導(dǎo)熱、抗氧化性以及高強(qiáng)度、低密度、介電性能可設(shè)計(jì)等優(yōu)異特性，是極具應(yīng)用潛力的導(dǎo)熱吸波型材料。在半導(dǎo)體材料中，SiC的高導(dǎo)熱系數(shù)奠定了其在第三代半導(dǎo)體材料中的主導(dǎo)地位，SiC器件可在高溫下長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定工作，促進(jìn)了其在新一代芯片技術(shù)和導(dǎo)熱散熱技術(shù)領(lǐng)域的推廣應(yīng)用。下表列出