中國粉體網(wǎng)訊  近日，廣東天域半導體股份有限公司（以下簡稱“天域半導體”）獲約12億人民幣融資。本輪融資資金將繼續(xù)用于增加碳化硅外延產(chǎn)線的擴產(chǎn)以及持續(xù)加大碳化硅大尺寸外延生長研發(fā)投入。

天域半導體成立于2009年，是中國第一家從事碳化硅 (SiC) 外延晶片市場營銷、研發(fā)和制造的民營企業(yè)，是中國第一家碳化硅半導體材料供應鏈的企業(yè)獲得汽車質(zhì)量認證。

來源：天域半導體

在產(chǎn)品方面，天域半導體在中國擁有最多的碳化硅外延爐-CVD，憑著最先進的外延爐設備、外延技術和最先進的測試和表征能力，為全球客戶提供 n-型 和 p-型 摻雜外延材料、制作肖特基二極管、JFET、BJT、MOSFET，GTO 和 IGBT等。

該公司是國內(nèi)最早實現(xiàn)6英寸外延晶片量產(chǎn)，20 kV級以上的厚外延生長實現(xiàn)，緩變結、陡變結等n/p型界面控制技術，多層連續(xù)外延生長技術的企業(yè)。

據(jù)悉，天域半導體已提前布局國內(nèi)8英寸SiC外延晶片工藝線的建設，正積極突破研發(fā)8英寸SiC工藝關鍵技術。據(jù)東莞松山湖管委會文件，天域半導體首條8英寸碳化硅外延片生產(chǎn)線項目，計劃2022年動工，預計2025年投產(chǎn)。

在合作方面，天域半導體域曾與II-VI成為戰(zhàn)略合作伙伴，后者將為天域提供6吋導電型碳化硅襯底；與露笑合作，2022至2024年笑露將為天域半導體預留的6英寸碳化硅襯底產(chǎn)能不少于15萬片。同時，雙方將在6英寸及以上規(guī)格SiC襯底方面進行產(chǎn)業(yè)化應用技術研發(fā)合作。

根據(jù)企查查信息顯示，天域半導體曾獲比亞迪、華為哈勃等入股。2022年6月，天域半導體宣布，他們相繼完成了第二輪和第三輪戰(zhàn)略投資者的引入工作，成為我國目前唯一一家同時獲得各領域頭部企業(yè)戰(zhàn)略投資的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)。

來源：集微網(wǎng)、公司官網(wǎng)、京銘資本

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）

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