中國粉體網(wǎng)訊  2月4日，晶盛機電舉行6英寸雙片式碳化硅外延設備新品發(fā)布會。

6英寸雙片式碳化硅外延設備揭幕儀式，來源：晶盛機電

以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體被國家“十四五”規(guī)劃和2035年遠景目標綱要列入重要發(fā)展方向。碳化硅材料在高溫、高頻、高頻領域逐步替代硅，在5G通信、航空航天、新能源汽車、智能電網(wǎng)領域發(fā)揮重要作用。

根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，受新能源汽車行業(yè)龐大的需求驅動，以及光伏風電和充電樁等領域對于效率和功耗要求提升的影響，預計到2027年碳化硅功率器件的市場規(guī)模將達到62.97億美元，2021-2027年的復合增速約為34%。

據(jù)介紹，該產(chǎn)品歷時兩年的研發(fā)、測試與驗證，在外延產(chǎn)能、運營成本等方面已取得國際領先優(yōu)勢，與單片設備相比，新設備單臺產(chǎn)能增加70%，單片運營成本降幅可達30%以上。

6英寸雙片式碳化硅外延設備

晶盛經(jīng)過一年的研發(fā)，成功生長出行業(yè)領先的8英寸N型碳化硅晶體，完成了6英寸到8英寸的擴徑和質量迭代，實現(xiàn)8英寸拋光片的開發(fā)，晶片性能參數(shù)與6英寸晶片相當，今年二季度將實現(xiàn)小批量生產(chǎn)，為實現(xiàn)我國在第三代半導體材料領域關鍵核心技術自主可控作出積極貢獻。

據(jù)悉，在今年1月12日，晶盛聯(lián)合創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園項目大樓主體全面封頂。晶盛機電投資8億元，在產(chǎn)業(yè)園建設12英寸集成電路大硅片設備測試實驗線，預計2023年7月投入使用。

據(jù)公開資料顯示，晶盛機電成立于2006年，為國內(nèi)晶體生長設備龍頭，下游覆蓋光伏、半導體、藍寶石、碳化硅4大領域。在半導體設備方面，其已實現(xiàn)8英寸硅片晶體生長、切片、拋光、外延加工設備全覆蓋（占比整線設備80%價值量），12英寸硅片長晶爐設備已小批量出貨，客戶包括中環(huán)、金瑞泓、有研、合晶等優(yōu)質半導體企業(yè)。

發(fā)布會上，晶盛機電董事長曹建偉博士表示，碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈從設備到工藝的創(chuàng)新，成本快速下降，產(chǎn)能快速擴張。晶盛機電持續(xù)以科技創(chuàng)新引領產(chǎn)品、工藝的迭代和突破，在先進制程及功率器件半導體裝備領域，解決“卡脖子”難題，實現(xiàn)進口替代，助力我國加快向高端材料、高端設備制造業(yè)轉型發(fā)展的步伐。

來源：晶盛機電公眾號

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）

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