中國粉體網(wǎng)訊  據(jù)CINNO Research報(bào)道，SiC(碳化硅)材料專業(yè)廠商ArcheArche在韓國京畿道公司總部舉行開幕式活動(dòng)，宣布碳化硅外延片（簡稱SiC Epi）正式量產(chǎn)，啟動(dòng)硅碳化(SiC)核心材料國產(chǎn)化。

據(jù)悉，Arche公司成立于2014年，是一家專注于通過蒸鍍SiC Epi，為半導(dǎo)體設(shè)備廠商供應(yīng)SiC材料的專業(yè)廠商。成果開發(fā)出電力半導(dǎo)體核心技術(shù)之一SiCEpitaxy（Epi）晶圓。去年成功引進(jìn)了100億韓元（約5496萬人民幣）的投資，今年開始預(yù)計(jì)將正式產(chǎn)生銷售額。

碳化硅外延片，是指在碳化硅襯底上生長了一層有一定要求的、與襯底晶相同的單晶薄膜（外延層）的碳化硅片。實(shí)際應(yīng)用中對(duì)外延層質(zhì)量的要求非常高。而且隨著耐壓性能的不斷提高，所要求的外延層的厚度就越厚，成本也會(huì)相應(yīng)調(diào)整。

基于SiC的電力半導(dǎo)體市場一般按照SiC晶圓→SiC Epi→芯片廠商→模組→需求企業(yè)的結(jié)構(gòu)構(gòu)成價(jià)值鏈。Arche生產(chǎn)從晶圓到芯片的中間過程SiC Epi晶片，并供應(yīng)給芯片廠商。

Arche目前擁有德國芯片設(shè)備制造商愛思強(qiáng)（Aixtron）生產(chǎn)的G4蒸鍍?cè)O(shè)備。Arche方面進(jìn)一步引進(jìn)了新的G5蒸鍍?cè)O(shè)備(MOCVD)，預(yù)計(jì)3月份完成建設(shè)。在完成對(duì)相關(guān)設(shè)備的爬坡及良率穩(wěn)定工作后，預(yù)計(jì)從今年第四季度開始正式量產(chǎn)產(chǎn)品。

電力半導(dǎo)體負(fù)責(zé)調(diào)節(jié)需要電力的電子產(chǎn)品、電動(dòng)汽車、氫能源車、5G通信網(wǎng)絡(luò)等電流方向，并起到控制電力轉(zhuǎn)換的作用。以電動(dòng)汽車為中心在多個(gè)領(lǐng)域應(yīng)用，最近以SiC為材料制成的電力半導(dǎo)體備受關(guān)注。因?yàn)榕c現(xiàn)有硅(Si)等材料不同，SiC在耐久性方面具有卓越性。

SiC功率半導(dǎo)體具有高耐久性的特點(diǎn)，在高溫和高壓的極端環(huán)境下可保持98%以上的電力轉(zhuǎn)換效率。另外，其兼具安全性和通用性，作為代替現(xiàn)有硅電力半導(dǎo)體市場的新一代產(chǎn)品，需求正在激增。

目前，Arche正準(zhǔn)備生產(chǎn)用于電動(dòng)汽車的650V和1200V級(jí)SiC Epi晶圓。其目標(biāo)是未來通過持續(xù)研發(fā)，開發(fā)出除3000V和6000V外，還可用于航空航天、國防領(lǐng)域的12000V級(jí)的材料。

Arche公司代表徐尚俊表示，“Arche通過高性能的設(shè)備，多年薄膜工藝的Know how，分析系統(tǒng)的最優(yōu)化，確保了高品質(zhì)的量產(chǎn)技術(shù)“，并稱“在下一代電力半導(dǎo)體市場，阿凱是SiC Epi的專業(yè)企業(yè)，將引領(lǐng)國內(nèi)SiC材料技術(shù)國產(chǎn)化�！�

來源：財(cái)經(jīng)網(wǎng)

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）

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