我國“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導體納入重點支持領域，隨著國家“新基建”戰(zhàn)略的實施，碳化硅半導體將在5G基站建設、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數(shù)據(jù)中心等新基建領域發(fā)揮重要作用。因此，以碳化硅為代表的寬禁帶半導體是面向經(jīng)濟主戰(zhàn)場、面向國家重大需求的戰(zhàn)略性行業(yè)。
碳化硅晶片（圖源：天科合達）
毋容置疑，碳化硅是極具潛力和市場空間的第三代半導體材料，當下已成為半導體界的“超級頂流”。因此在半導體產(chǎn)業(yè)最熱門的賽道之一，吸引了眾多半導體大廠以及初創(chuàng)新銳力量參與其中。
日本羅姆加入碳化硅大軍，遠期投資額增至去年計劃四倍
據(jù)報道，日本半導體廠商羅姆(ROHM)將在今年內(nèi)于福岡縣正式量產(chǎn)碳化硅(SiC)功率半導體，并借此產(chǎn)品開拓純電動汽車及醫(yī)療等新市場。
據(jù)悉，位于日本福岡縣南部的羅姆阿波羅筑后工廠，是羅姆公司的碳化硅半導體主力基地，也是日本國內(nèi)企業(yè)首次建設的碳化硅功率半導體專用新廠房。該計劃到2025財年（截止到2026年3月）最高向碳化硅功率半導體投資2200億日元，這個數(shù)額相對2021年時計劃的增加了4倍。
光�？瓢雽w碳化硅外延片正式投產(chǎn)
11月23日，希科半導體科技(蘇州)有限公司（以下簡稱�？瓢雽w）于蘇州納米科技城召開碳化硅(SiC)外延片投產(chǎn)新聞發(fā)布會。該項目年產(chǎn)能可達2萬片。
國內(nèi)同業(yè)一直在國產(chǎn)設備和生產(chǎn)工藝上積極研發(fā)以解決我國第三代半導體SiC器件生產(chǎn)用關鍵工藝裝備全部依賴進口的“卡脖子”問題。值得注意的是，此次�？瓢雽w在SiC外延片工藝研發(fā)上取得的突破性進展就是采用純國產(chǎn)設備和完全自主的先進工藝，實現(xiàn)了工藝設備、量測設備、關鍵原料的三位一體國產(chǎn)化,完全、干凈、徹底的解決了國外產(chǎn)品的卡脖子問題。這一系列成果均為我國碳化硅行業(yè)的新紀錄。
安巢經(jīng)開半導體產(chǎn)業(yè)項目，加速落地
安巢經(jīng)開區(qū)半導體新材料研發(fā)生產(chǎn)基地一期項目選址于振興路與云溪路交口，是為碳化硅纖維復合材料及其應用產(chǎn)品投資代建項目。
圖來源：安巢經(jīng)開區(qū)
該項目，一期總投資3億元，其中固定資產(chǎn)投資約2億元，規(guī)劃占地22畝，總建筑面積2.8萬平方米。建設2條碳化硅纖維復合材料生產(chǎn)線。一期項目達產(chǎn)后，可年產(chǎn)碳化硅陶瓷基復合材料及其構件產(chǎn)品10噸，可實現(xiàn)產(chǎn)值約10億元，稅收不少于3500萬元。
參考來源：財經(jīng)網(wǎng)、中國網(wǎng)科學、人民網(wǎng)-安徽頻道
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）
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