廈門大學材料學院日前突破了具有光電特性的連續(xù)碳化硅（SiC）自由薄膜關(guān)鍵技術(shù)，制備出多種組分PCS先驅(qū)體，掌握了連續(xù)SiC自由薄膜不熔化交聯(lián)預處理與高溫裂解燒結(jié)的工藝。目前，該技術(shù)已申報6項國家發(fā)明專利，并形成了連續(xù)SiC自由薄膜材料小批量生產(chǎn)能力。

　　據(jù)介紹，該項目的主要創(chuàng)新點為：將熔融紡膜與先驅(qū)體轉(zhuǎn)化法相結(jié)合，制備出新型功能性連續(xù)SiC自由薄膜（厚度8～100微米、寬度20毫米、連續(xù)長度＞100米）；從原料的合成階段引入異質(zhì)元素改性，制備出了耐超高溫、低電阻率及高頻發(fā)光特性的連續(xù)SiC(Al)自由薄膜，以及適合太陽能電池窗口材料的P型光伏薄膜。

　　新型連續(xù)SiC自由薄膜是理想的新型寬帶隙半導體材料，在微機電系統(tǒng)（MEMS）、光電集成器件、藍光發(fā)光器件、光伏器件、高溫紫外光敏器件及高溫壓力傳感器等高技術(shù)領(lǐng)域應用前景廣闊。