日本電信電話（NTT）在2011年2月22～23日舉行的“NTT R＆D論壇2011”（NTT武藏野研究開發(fā)中心）上，展出了分別利用“機(jī)械剝離法”和“SiC熱分解法”制備的石墨烯片。
機(jī)械剝離法是由英國(guó)曼徹斯特大學(xué)（University of Manchester）的研究人員開發(fā)的石墨烯片制備方法。在可用于鉛筆筆芯的石墨上粘貼粘膠帶，然后反復(fù)進(jìn)行剝離，最終可制備出單層石墨烯。此次展示了多次剝離膠帶后的樣子，以及將制備的石墨烯利用顯微鏡放大后的影像。
SiC熱分解法是由NTT物性科學(xué)基礎(chǔ)研究所推進(jìn)開發(fā)的制備方法。通過(guò)將SiC基板加熱至1300℃等，使表面的Si原子脫離，剩余的碳（C）原子交替結(jié)合，最終形成石墨烯。此次展示了采用1cm見(jiàn)方的SiC基板制備的產(chǎn)品。
機(jī)械剝離法是由英國(guó)曼徹斯特大學(xué)（University of Manchester）的研究人員開發(fā)的石墨烯片制備方法。在可用于鉛筆筆芯的石墨上粘貼粘膠帶，然后反復(fù)進(jìn)行剝離，最終可制備出單層石墨烯。此次展示了多次剝離膠帶后的樣子，以及將制備的石墨烯利用顯微鏡放大后的影像。
SiC熱分解法是由NTT物性科學(xué)基礎(chǔ)研究所推進(jìn)開發(fā)的制備方法。通過(guò)將SiC基板加熱至1300℃等，使表面的Si原子脫離，剩余的碳（C）原子交替結(jié)合，最終形成石墨烯。此次展示了采用1cm見(jiàn)方的SiC基板制備的產(chǎn)品。
