從壟斷競(jìng)爭(zhēng)到充分競(jìng)爭(zhēng)：高純多晶硅最初主要用于半導(dǎo)體領(lǐng)域，自2004年以來(lái)受晶體硅太陽(yáng)能電池需求拉動(dòng)而出現(xiàn)供不應(yīng)求，致使多晶硅價(jià)格持續(xù)上漲并帶來(lái)暴利，暴利的誘惑下產(chǎn)業(yè)壁壘被攻克(資金+技術(shù))，大量的新增產(chǎn)能不斷涌現(xiàn)。當(dāng)越來(lái)越多的廠商掌握了生產(chǎn)技術(shù)，行業(yè)出現(xiàn)超額利潤(rùn)時(shí)供應(yīng)商能夠迅速擴(kuò)產(chǎn)，多晶硅行業(yè)從之前的寡頭壟斷格局，轉(zhuǎn)向充分競(jìng)爭(zhēng)格局。自2008年4季度以來(lái)，多晶硅價(jià)格步入下跌通道。

　　2009年供需逆轉(zhuǎn)，2010年行業(yè)洗牌：大部分08年新增產(chǎn)能投產(chǎn)于08年底，這些產(chǎn)能將沖擊2009年多晶硅市場(chǎng)。自2008年4季度以來(lái)，由于金融危機(jī)影響了下游光伏需求，許多曾出臺(tái)龐大擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃的多晶硅制造商必將推遲或取消其部分后期項(xiàng)目，而目前已經(jīng)在建產(chǎn)能將陸續(xù)于2009-2010年投產(chǎn)。通過(guò)分析全球的多晶硅項(xiàng)目供給及需求狀況，我們判斷2009年全球多晶硅供需逆轉(zhuǎn)，而隨著在建項(xiàng)目于2010年再度沖擊市場(chǎng)，2010年將發(fā)生無(wú)情的洗牌。

　　新技術(shù)路線的沖擊不可忽視：以改良西門(mén)子法為代表的傳統(tǒng)工藝是當(dāng)前高純多晶硅的主要生產(chǎn)方法，占據(jù)著80%的份額。而以硅烷法、冶金法為代表的新興技術(shù)正在逐步的成熟中，這些新方法直接瞄準(zhǔn)太陽(yáng)能級(jí)的多晶硅，相對(duì)傳統(tǒng)工藝而言成本大幅降低。新技術(shù)的突破及擴(kuò)產(chǎn)，將給現(xiàn)有行業(yè)格局帶來(lái)影響。需要密切關(guān)注冶金法的提純純度，若能量產(chǎn)6N級(jí)，則足以對(duì)行業(yè)形成較大沖擊。