推薦浙大科創(chuàng)先進(jìn)半導(dǎo)體研究院丨半導(dǎo)體領(lǐng)域的“尖兵”

中國粉體網(wǎng)訊 近日，浙大科創(chuàng)先進(jìn)半導(dǎo)體研究院-杭州乾晶半導(dǎo)體聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室經(jīng)過系列技術(shù)攻關(guān)，在大尺寸碳化硅（SiC）單晶生長及其襯底制備方面取得突破，成功生長出厚度達(dá)27毫米的8英寸n型碳化硅單晶錠，并加工獲得了8英寸碳化硅襯底[更多]