推薦國內(nèi)首次厚度達100 mm! 碳化硅單晶生長取得新進展

中國粉體網(wǎng)訊 據(jù)浙大杭州科創(chuàng)中心官微消息，浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心（簡稱科創(chuàng)中心）先進半導體研究院-乾晶半導體聯(lián)合實驗室的研究人員們經(jīng)過近兩年的努力，首次生長出厚度達100 mm的超厚碳化硅單晶！若要將碳化硅單晶厚度顯著提升[更多]