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徐永寬

推薦碳化硅單晶生長:邁向大尺寸、高質(zhì)量的征途

中國粉體網(wǎng)訊 目前,用于SiC晶體生長的主要技術(shù)包括物理氣相輸運(yùn)(PVT)法、高溫化學(xué)氣相沉積( HTCVD)法,以及頂部籽晶溶液生長(TSSG)法。其中,PVT法作為現(xiàn)階段發(fā)展最為成熟、應(yīng)用最廣且商業(yè)化程度最高的SiC單晶[更多]

資訊 碳化硅襯底第三代半導(dǎo)體碳化硅單晶半導(dǎo)體材料徐永寬
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