在第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)賽道上,0.1μm 的精度誤差可能導(dǎo)致良品率暴跌 15%,單晶圓成本激增數(shù)千元!從晶體生長(zhǎng)到晶圓加工,每一道工序都在考驗(yàn)設(shè)備的精度極限。2025年8月20-21日在江蘇·蘇州由中國(guó)粉體網(wǎng)主辦的第[更多]
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