推薦高純度碳化硅清潔生產(chǎn)

中國粉體網(wǎng)訊 SiC具有寬帶隙、高臨界擊穿場強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和遷移率等優(yōu)點(diǎn)，特別適合于制造高頻、大功率、抗輻射、抗腐蝕的電子器件，是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域中較有前景的材料之一。碳化硅的物理化學(xué)性能SiC晶體材料的發(fā)展歷史已有[更多]