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測(cè)試方法:靜態(tài)容量法,高溫高壓氣體吸附
主機(jī)功能:常溫至500℃區(qū)間可選任意溫度的吸附及脫附等溫線(xiàn)測(cè)定,吉布斯超臨界吸附測(cè)定
數(shù)據(jù)處理:Langmuir模型回歸等溫線(xiàn),Langmuir**吸附常數(shù)L及吸附壓力常數(shù)B參量測(cè)定；Langmuir修正模型Loading-ratio Correlation(LCR)等溫線(xiàn)回歸；Ono-Kondo(OK) Lattice 晶格模型等溫線(xiàn)回歸；軟件集成不同壓力及不同溫度下,常用吸附氣體密度及氣液相平衡高精度計(jì)算功能
測(cè)定范圍:可進(jìn)行常壓至**200Bar壓力范圍內(nèi)連續(xù)吸附及脫附測(cè)定
測(cè)量精度:重復(fù)性誤差小于3%
溫度范圍:常溫-500℃,控溫精度0.1℃
樣品數(shù)量:同時(shí)進(jìn)行2樣品分析及2樣品脫氣處理,全金屬不銹鋼微焊樣品管,軟件集成溫度PID調(diào)節(jié)功能
壓力精度:進(jìn)口高精度壓力傳感器,精度達(dá)0.05% FS,長(zhǎng)期使用穩(wěn)定性0.025%FS
極限真空:4x10－2Pa(3x10－4Torr),分子泵系統(tǒng)(1x10-6 Pa)可選配
測(cè)試氣體:高純N2,CO2,(99.999%)或其它(按需選擇如Ar,Kr,H2,CH4等)
數(shù)據(jù)采集:高精度及高集成度數(shù)據(jù)采集模塊,誤差小,抗干擾能力強(qiáng)
儀器規(guī)格: 尺寸:長(zhǎng)70×寬70×高85(CM);重量:60公斤;電壓:交流220V;電流:5A
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摘要：硬脂酸鎂是制藥界廣泛應(yīng)用的藥物輔料，因?yàn)榫哂辛己玫目拐承?、增流性和?rùn)滑性在制劑生產(chǎn)中具有十分重要的作用，作為常用的藥用輔料潤(rùn)滑劑，比表面積對(duì)硬脂酸鎂有很大的影響，硬脂酸鎂的比表面積越大，其極性越
2022-07-05
陶瓷材料具有高熔點(diǎn)、高硬度、高耐磨性、耐氧化等一系列特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于電子工業(yè)、汽車(chē)工業(yè)、紡織、化工、航空航天等國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域。陶瓷材料的物理性能很大程度上取決于其微觀(guān)結(jié)構(gòu)，是掃描電鏡重要的應(yīng)用領(lǐng)
2022-09-27
助力“土壤三普” | 氣體吸附技術(shù)在土壤膠體表征中的應(yīng)用 有關(guān)吸附等溫線(xiàn)中的滯后環(huán) 有關(guān)分子篩結(jié)構(gòu) 淺析BET BJH孔徑分布計(jì)算模型 有關(guān)BET測(cè)試中的常見(jiàn)問(wèn)題（三） 有關(guān)BET測(cè)試中的常見(jiàn)問(wèn)題（二） 有關(guān)BET測(cè)試中的常見(jiàn)問(wèn)題（一） 動(dòng)、靜態(tài)吸附法比較 淺析吸附方式中的t-plot 
6月10日，由中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微納研究與制造中心、國(guó)儀量子技術(shù)（合肥）股份有限公司、牛津儀器科技（上海）有限公司聯(lián)合舉辦的“中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)材料微觀(guān)分析論壇暨微納加工裝備聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室揭牌儀式”在中國(guó)科學(xué)
近日，國(guó)際頂尖學(xué)術(shù)期刊《科學(xué)》（Science）發(fā)表了同濟(jì)大學(xué)羅巍教授與華中科技大學(xué)黃云輝教授等合作者的題為“Fatigue of Li metal anode in solid-state batt
固態(tài)鋰金屬電池（SSBs）因其高能量密度和安全性，被認(rèn)為是電動(dòng)汽車(chē)的理想選擇。然而，這些電池在循環(huán)過(guò)程中由于鋰枝晶的無(wú)控生長(zhǎng)而面臨短路挑戰(zhàn)。鋰枝晶的生長(zhǎng)不僅會(huì)穿透固態(tài)電解質(zhì)（SSE）導(dǎo)致電池內(nèi)部短路，
國(guó)儀量子電鏡在芯片金屬柵極刻蝕殘留檢測(cè)的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹 在芯片制造工藝中，金屬柵極刻蝕是構(gòu)建晶體管關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的重要環(huán)節(jié)。精確的刻蝕工藝能夠確保金屬柵極的尺寸精度和形狀完整性，對(duì)芯片的性能
國(guó)儀量子電鏡在芯片后道 Al 互連電遷移空洞檢測(cè)的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹 隨著芯片集成度不斷攀升，芯片后道 Al 互連技術(shù)成為確保信號(hào)傳輸與芯片功能實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。在芯片工作時(shí)，Al 互連導(dǎo)線(xiàn)
國(guó)儀量子電鏡在芯片鈍化層開(kāi)裂失效分析的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域，芯片鈍化層扮演著至關(guān)重要的角色。它作為芯片的 “防護(hù)鎧甲”，覆蓋在芯片表面，隔絕外界環(huán)境中的濕氣、雜質(zhì)以及機(jī)械應(yīng)力等不利
煤層氣吸附儀的工作原理介紹？煤層氣吸附儀的使用方法？煤層氣吸附儀多少錢(qián)一臺(tái)？煤層氣吸附儀使用的注意事項(xiàng)煤層氣吸附儀的說(shuō)明書(shū)有嗎？煤層氣吸附儀的操作規(guī)程有嗎？煤層氣吸附儀的報(bào)價(jià)含票含運(yùn)費(fèi)嗎？煤層氣吸附儀有現(xiàn)貨嗎？煤層氣吸附儀包安裝嗎？
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