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替代BeO、AlN、鉬銅合金、Cu-diamond等陶瓷或復合材料，與光電、射頻等器件焊接，大幅降低芯片結(jié)溫，提升芯片功率密度與穩(wěn)定性
拋光后表面粗糙度<20nm，與AMB、DPC等工藝兼容
熱導率>1200W/mK
尺寸：2英寸
厚度：0.1mm-1mm
表面粗糙度：Ra<20nm
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