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集成電路刻蝕用硅材料長晶爐MSIR1050系列品牌
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江蘇樣本
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◆ 設備采用坩堝下降法，多溫區(qū)控溫，通過優(yōu)化氣路設計，可有效避免熱場和晶體的相互污染；
◆ 自動化程度高，可根據(jù)需要定制晶體形狀，提高效率和原料的利用率。
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