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全自動原子層沉積系統(tǒng)(ALD)
全自動原子層沉積系統(tǒng)(ALD)

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Veeco(之前稱之為Cambridge Nanotech)已經(jīng)有15年以上的ALD研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗。2003年Cambridge Nanotech成立于哈佛大學,05年搬到Boston并生產(chǎn)出Thermal ALD - Savannah, 之后生產(chǎn)出Plasam ALD - Fuji、批量生產(chǎn)ALD-Phoenix。2017年被Veeco收購,并更新了Batch HVM ALD - Firebird。至今為止,Veeco在ALD設備已有15年多的經(jīng)驗,全球已安裝五百多臺ALD設備。

方式: Thermal ALD (plasma option)

優(yōu)勢: 性能強,成本小,易于操作和維護

薄膜: 氧化物Al2O3, HfO2, La2O3, Li2O, Li7La3Zr2O12, LiFePO4, SIO2, TiO2, ZnO, ZrO2, Ta2O5, In2O3, SnO2, Fe2O3, MnOx, Nb2O5, MgO, Er2O3, WOx, MoO3, V2O3 硫化物ZnS, SnS, Cu2S, In2S3, Cu2ZnSnS4,PbS, CoS等

反應腔體大小: S100: 可達100 mm / S200: 可達200 mm / S300: 可達300 mm

設備尺寸: S100: 585 x 560 x 980 mm / S200: 585 x 560 x 980 mm / S300: 686 x 560 x 980 mm

操作模式: 連續(xù)模式(高速) / 曝光模式(超高深寬比)

功率: 115 VAC / 220 VAC,1900 W (不包含泵) (S300 2000W)

*強溫度: S100: RT - 400 °C / S200: RT - 350 °C / S300: RT - 350 °C

沉積均一性: Al2O3:<1% (1σ)

循環(huán)時間: <2s per cycle with Al2O3 at 200°C

兼容: 標準二端口,可增加至六端口。每一個源瓶均可放固態(tài)/液態(tài)/氣態(tài)前驅體,可獨立加熱至200°C

閥門: 高速ALD閥門,10ms響應

前驅體源瓶: 獨立可加熱50ml不銹鋼氣瓶,可選擇更大容量

載氣/排氣: N2,100SCCM

原位分析選項: 原位QCM, 原位橢便儀, 殘余氣體分析, LVPD, 批量生產(chǎn), 集成手套箱等, 臭氧發(fā)生器, 批量生產(chǎn), 自組裝單層膜(SAMs)顆粒鍍膜, 等離子體加強

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