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專門為電子束敏感樣品和需**300萬倍穩(wěn)定觀察的先進(jìn)半導(dǎo)體器件，高分辨成像所設(shè)計。
新的電子槍和電子光學(xué)設(shè)計提高了低加速電壓性能。
0.4nm / 30kV (SE)
1.2nm / 1kV (SE)
0.34nm / 30kV (STEM)
用改良的高真空性能和****的電子束穩(wěn)定性來實現(xiàn)高效率截面觀察。
采用全新設(shè)計的Super E x B能量過濾技術(shù)，高效，靈活地收集SE / BSE/ STEM信號。
暫無數(shù)據(jù)！
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