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IBE離子束刻蝕系統(tǒng)

NIE-4000（M）IBE離子束刻蝕產(chǎn)品概述：

NANO-MASTER的離子束刻蝕系統(tǒng)具有很強(qiáng)的適應(yīng)性，可根據(jù)不同的應(yīng)用而按不同的配置進(jìn)行建構(gòu)。多樣的樣片夾具和離子源配置可支持用戶不同的應(yīng)用。用于離子束系統(tǒng)（或稱離子銑系統(tǒng)）的樣片夾具可以支持±90°傾斜、旋轉(zhuǎn)、水冷和背氦冷卻。

NANO-MASTER技術(shù)已經(jīng)展示了可以把基片文庫保持在50°C以內(nèi)的能力。通過傾斜和旋轉(zhuǎn)，可以刻蝕出帶斜坡的槽，并且改善了對側(cè)壁輪廓和徑向均勻度的控制。

不同的選配項(xiàng)可以用于不同的網(wǎng)格配置以及中和器。濺射選配項(xiàng)可以支持對新刻蝕金屬表面的涂覆，以防氧化。此外，還可以選配單晶圓自動上下片功能。

NIE-4000（M）IBE離子束刻蝕產(chǎn)品特點(diǎn)：

• 優(yōu)化的14”立方的電拋光不銹鋼腔體

• 水冷±90°自動傾斜旋轉(zhuǎn)基片夾具

• 帶不銹鋼氣體管路及氣動截止閥的MFC

• 直流離子源1cm-16cm

• 6”基片的刻蝕均勻度±1.2%

• 能夠控制基片溫度在50°C以內(nèi)

• 26”x44”占地面積的不銹鋼柜體，非常適用于百級超凈間

• 基于計(jì)算機(jī)的全自動工藝控制，菜單驅(qū)動

• LabVIEW友好用戶界面

• EMO和安全互鎖

NIE-4000（M）IBE離子束刻蝕產(chǎn)品選配：

• 光譜終點(diǎn)監(jiān)測系統(tǒng)

• 背氦冷卻

• 21”立方的電拋光不銹鋼腔體

• 自動上下片

• 1200L/Sec渦輪分子泵

• 冷泵配置

• 增加MFC用于反應(yīng)氣體實(shí)現(xiàn)RIBE

• 柵格式RFICP離子源

• 中空陰極或燈絲中和器

• 濺射源用于鈍化層沉積

NIE-4000（M）IBE離子束刻蝕產(chǎn)品應(yīng)用：

• III-V族光學(xué)元件

• 激光光柵

• 高深寬比的光子晶體刻蝕

• SiO2，Si和金屬的深槽刻蝕