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Hydrofluoric Acid Vapor Phase Etcher
氫氟酸氣相蝕刻系統(tǒng)
MEMS領(lǐng)域設(shè)備：準(zhǔn)干法氫氟酸氣相蝕刻系統(tǒng)，4“、6”、8“范圍適用。
氫氟酸蝕刻二氧化硅是微電子行業(yè)中的一道傳統(tǒng)工藝，多以濕法為主，但是濕法工藝容易造成硅表面自然氧化層無(wú)法完全去除，進(jìn)而影響金屬和硅的歐姆接觸。
本氫氟酸氣相蝕刻是一套準(zhǔn)干法工藝設(shè)備，通過(guò)對(duì)基底的加熱，晶圓表面的水分可以很好的控制。由
于晶圓完全不與液體接觸，可以進(jìn)行無(wú)粘著MEMS釋放。
特點(diǎn)：
安全酸處理
可重復(fù)利用HF
晶圓夾緊機(jī)構(gòu)
適于各種尺寸的晶圓
無(wú)需安裝（裝置在濕法酸工作臺(tái)中使用）
上部向下晶圓蝕刻
背面保護(hù)
低運(yùn)行成本
應(yīng)用：
無(wú)粘著MEMS釋放
結(jié)構(gòu)減薄
SOI基底上的結(jié)構(gòu)免切割釋放
蝕刻速率從0到10 μm/hour可調(diào)（無(wú)粘著）
單面二氧化硅蝕刻（蝕刻過(guò)程背面保護(hù)）
4英寸產(chǎn)品型號(hào)：VPE100
6英寸產(chǎn)品型號(hào)：VPE150
8英寸產(chǎn)品型號(hào)：VPE200
蝕刻液：50%HF有機(jī)溶液
蝕刻速率：2-30 μm/hour
加熱溫度：35-60℃
反應(yīng)室溫度控制
在反應(yīng)室內(nèi)，二氧化硅的腐蝕速率隨液體HF的溫度略有變化。氫氟酸的溫度取決于潔凈室的環(huán)境溫度。此外，在長(zhǎng)時(shí)間的蝕刻過(guò)程中，HF會(huì)被加熱，導(dǎo)致晶圓之間的蝕刻速率增加，直到系統(tǒng)穩(wěn)定下來(lái)。為了穩(wěn)定腐蝕速率，我們?cè)谌萜髦虚_(kāi)發(fā)了一個(gè)溫度可控的HF反應(yīng)室。高頻的溫度可以通過(guò)附加的控制器來(lái)調(diào)節(jié)。
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