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SD-900M 型離子濺射儀外觀亮麗做工精致。一般針對不耐高溫的樣品（如：薄膜類樣品，樹脂類等等）

磁控濺射是物理氣相沉積的一種。

一般的濺射法可被用于制備金屬、半導體、絕緣體等多材料，且具有設備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優(yōu)點，

磁控濺射法更是實現了高速、低溫、低損傷。因為是在低氣壓下進行高速濺射，必須有效地提高氣體的離化率。磁控濺射通過在靶陰極表面引入磁場，利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率。

需要鍍膜的樣品

1、電子束敏感的樣品:

主要包括生物樣品，塑料樣品等。SEM中的電子束具有較高能量，在與樣品的相互作用過程中，它以熱的形式將部分能量傳遞給樣品。如果樣品是對電子束敏感的材料，那這種相互作用會破壞部分甚至整個樣品結構。這種情況下，用一種非電子束敏感材料制備的表面鍍層就可以起到保護層的作用，防止此類損傷；

2、非導電的樣品:

由于樣品不導電，其表 面帶有“電子陷阱”， 這種表面上的電子積累 被稱為“充電”。為了 消除荷電效應，可在樣 品表面鍍一層金屬導電 層，鍍層作為一個導電 通道，將充電電子從材 料表面轉移走，消除荷 電效應。在掃描電鏡成 像時，濺射材料增加信 噪比，從而獲得更好的成像質量。

3、新材料:非導電材料和半導體材料

原理：

在磁控濺射中，由于運動電子在磁場中受到洛侖茲力，它們的運動軌跡會發(fā)生彎曲甚至產生螺旋運動，其運動路徑變長，因而增加了與工作氣體分子碰撞的次數，使等離子體密度增大，從而磁控濺射速率得到很大的提高，而且可以在較低的濺射電壓和氣壓下工作，降低薄膜污染的傾向；另一方面也提高了入射到襯底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的質量。同時，經過多次碰撞而喪失能量的電子到達陽極時，已變成低能電子，從而不會使基片過熱。

參數：

主機規(guī)格：300mm×360mm×380mm（W×D×H）

靶（上部電極）：金：50mm×0.1mm（D×H）

靶材：Au（標配）也可根據實際情況配備銀靶、鉑靶等

樣品室：硼硅酸鹽玻璃160mm×120mm（D×H）

樣品臺：可安裝直徑50mm和直徑70mm的樣品臺，也可根據自身要求定制樣品臺

靶材尺寸：Ф50mm

真空指示表： **真空度：≤ 4X10-2 mbar

離子電流表： **電流：100mA

定時器： *長時間：0-360S

微型真空氣閥：可連接φ3mm軟管

可通入氣體： 多種

**電壓： -1600 DCV

機械泵：標準配置2L/S（國產VRD-8）

輸入電壓：220V(可做110V)，50HZ

特點：

1、經濟、可靠、外觀精美。

2、成膜速率高。

3、基片溫度低。

4、膜的粘附性好。

5、可實現大面積鍍膜。

6、可調節(jié)濺射電流和真空室壓強以控制鍍膜的速率和顆粒的大小。

7、SETPLASMA手動啟動按鈕可預先設置好壓強和濺射電流避免對膜造成不必要的損傷。

8、真空保護可避免真空過低造成設備短路。