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硅光電探測(cè)器（Si）

———室溫型探測(cè)器，波長(zhǎng)范圍：200-1100nm

技術(shù)參數(shù)：

型號(hào)列表及主要技術(shù)指標(biāo)：

技術(shù)指標(biāo)＼型號(hào)名稱(chēng) DSi200 紫敏硅探測(cè)器 DSi300 硅探測(cè)器

進(jìn)口紫外增強(qiáng)型 國(guó)產(chǎn)低暗電流型

有效接收面積(mm2) 100(Φ11.28) 100(10×10)

波長(zhǎng)范圍(nm) 200-1100 300-1100

峰值波長(zhǎng)(nm) ------- 800±20

峰值波長(zhǎng)響應(yīng)度(A/W) 0.52 >0.4

254nm的響應(yīng)度(A/W) 0.14(>0.09) -------

響應(yīng)時(shí)間(μs) 5.9 -------

工作溫度范圍(℃) -10～+60 -------

儲(chǔ)存溫度范圍(℃) -20～+70 -------

分流電阻RSH(MΩ) 10(>5) -------

等效噪聲功率NEP (W/√Hz) 4.5×10-13 -------

暗電流(25℃；-1V) ------- 1X10-8—5×10-11 A

結(jié)電容(pf) 4500 <3000(-10V)

信號(hào)輸出模式 電流 電流

輸出信號(hào)極性 正（P） 正（P）

主要特點(diǎn)：

■ DSi200/DSi300硅光電探測(cè)器

硅光電探測(cè)器（Si）

———室溫型探測(cè)器，波長(zhǎng)范圍：200-1100nm

兩種型號(hào)的探測(cè)器室的外觀相同，其中：

◆ DSi200型內(nèi)裝進(jìn)口紫敏硅光電探測(cè)器

◆ DSi300型內(nèi)裝國(guó)產(chǎn)低暗電流硅光電探測(cè)器

◆ 推薦配合I-V放大器（型號(hào)：ZAMP）使用

硅光電探測(cè)器使用建議：

◆ DSi200/DSi300均為電流輸出模式的光電探測(cè)器，在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號(hào)處理器前，建議采用I-V跨導(dǎo)放大器ZAMP（Page85做為前級(jí)放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)，標(biāo)明可輸入電流信號(hào)的信號(hào)處理器可直接接入信號(hào)，但仍建議增加前置放大器以提高探測(cè)靈敏度；

◆ DSi200/DSi300配合DCS103數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)（Page95）使用時(shí)，建議采用I-V跨導(dǎo)放大器以提高探測(cè)靈敏度；

◆ DSi200/DSi300配合DCS300PA數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)（Page95）使用時(shí)，由于DCS300PA雙通道已集成信號(hào)放大器，故可不再需要另行選配前置放大器。