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無塵室用除濕機 除濕機企業(yè)新聞資訊報道：現在的電子廠，制藥廠以及食品廠等工廠企業(yè)的很多產品都需要在無塵室中進行加工儲存，才能確保其出廠品質的達標；而無塵室相對于一般的車間生產環(huán)境，在溫度，濕度以及潔凈度等各個方面都有著更高的要求；比如在濕度方面：

雖然高濕度有利于消除靜電，減少粉塵等，但并不是濕度越高越好，需要掌握這個度，將相對濕度控制在40%-50%RH之間可以作為一個令人滿意的折中范圍；因此，在濕度較高的梅雨季節(jié)需要安裝正島ZD-8240C及ZD系列無塵室用除濕機，將濕度降低到這一范圍之內，確保無塵室擁有一個*適宜的濕度環(huán)境！

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正島ZD-8240C無塵室用除濕機技術參數：

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正島ZD-8240C及ZD系列無塵室用除濕機產品六大核心配置優(yōu)勢：

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工業(yè)用除濕機廠家記者核心提示：相對濕度是無塵室運作過程中的一個非常重要的環(huán)境控制條件。在電子行業(yè)，一些精密電子產品生產儲存的無塵室中的典型的相對濕度的目標值大約控制在40-50%RH的范圍內，在沒有特殊要求的情況，誤差則可以放松到±5%的范圍內。目前已經有不少行業(yè)的無塵室中都使用正島ZD-8240C及ZD系列無塵室用除濕機，實現了這一濕度控制標準！以上關于無塵室除濕機，無塵室用除濕機，工業(yè)除濕機廠家的**相關新聞資訊是正島電器為大家提供的！

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無塵室的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。

凈化工程具體工藝對溫度的要求以后還要列舉，但作為總的原則看，由于加工精度越來越精細，所以對溫度波動范圍的要求越來越小。

例如在大規(guī)模集成電路生產的光刻曝光工藝中，作為掩膜板材料的玻璃與硅片的熱膨脹系數的差要求越來越小。直徑100 um的硅片，溫度上升1度，就引起了0.24um線性膨脹，所以必須有±0.1度的恒溫，同時要求濕度值一般較低，因為人出汗以后，對產品將有污染，特別是怕鈉的半導體車間，這種車間不宜超過25度。

　　濕度過高產生的問題更多。相對濕度超過55%時，冷卻水管壁上會結露，如果發(fā)生在精密裝置或電路中，就會引起各種事故。相對濕度在50%時易生銹。此外，濕度太高時將通過空氣中的水分子把硅片表面粘著的灰塵化學吸附在表面耐難以清除。

相對濕度越高，粘附的難去掉，但當相對濕度低于30%時，又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于表面，同時大量半導體器件容易發(fā)生擊穿。對于硅片生產**溫度范圍為35—45%。

到目前為止，在半導體無塵車間、潔凈室中*迫切需要適當控制的是光刻膠的敏感性。由于光刻膠對相對濕度極為敏感的特性，它對相對濕度的控制范圍的要求是*嚴格的水準。

　　實際上，相對濕度和溫度對于光刻膠穩(wěn)定性以及精確的尺寸控制都是很關鍵的。甚至是在恒溫條件下，光刻膠的粘性將隨著相對濕度的上升而迅速下降。當然，改變粘性，就會改變由固定組分涂層形成的保護膜的厚度。參考兩個城市，一個試驗證實，相對濕度的3%的變異將使保護厚度改變59.2A(原文如此)。

　此外，在高的相對濕度環(huán)境下，由于水分的吸收，使烘烤循環(huán)后光刻膠膨脹加重。光刻膠附著力同樣也可以受到較高的相對濕度的負面影響；較低的相對濕度(約30%)使光刻膠附著更加容易，甚至不需要聚合改性劑，如六甲基二硅氮烷(HMDS)。

　　總而言之半導體無塵車間、潔凈室中控制相對濕度不是隨意的。但是，隨著時間的變化，**回顧一下常見的被普遍接受的實踐的原因和基礎。