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【原創(chuàng)】玻璃通孔(TGV)技術(shù)賦能扇出型封裝:推動半導體封裝技術(shù)新變革


來源:中國粉體網(wǎng)   月明

[導讀]  TGV技術(shù)憑借其在高頻性能、互連密度等方面的優(yōu)勢,在扇出型封裝中發(fā)揮越來越重要的作用

中國粉體網(wǎng)訊  在半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展進程中,封裝技術(shù)始終扮演著至關(guān)重要的角色。隨著電子產(chǎn)品不斷向小型化、高性能化、多功能化方向發(fā)展,對芯片封裝的要求也日益嚴苛。扇出型封裝作為先進封裝技術(shù)的代表,正逐漸成為行業(yè)焦點,而TGV技術(shù)的融入,更為扇出型封裝注入了新的活力。

 

扇出型封裝:半導體封裝的新趨勢

 

隨著5G、人工智能(AI)以及物聯(lián)網(wǎng)(IoT)等前沿技術(shù)的廣泛普及,手機、平板電腦、計算機、汽車等諸多領(lǐng)域蓬勃發(fā)展,這不僅對芯片性能提出了更高要求,也推動了封裝技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新。

 

傳統(tǒng)的扇入型封裝通常先對整片晶圓芯片進行封裝測試,再切割成單顆芯片,其封裝尺寸往往與芯片尺寸一致。當芯片的輸入/輸出(I/O)數(shù)量不斷增加,芯片尺寸難以容納所有I/O時,便難以滿足需求。扇出型封裝則基于創(chuàng)新的重組技術(shù),先將芯片切割,再重新嵌埋到重組載板上,完成嵌埋后進行封裝測試,最后將重組載板切割為單顆芯片。這種設計允許將引腳放置在芯片區(qū)域之外,再分布層(RDL)布線方式更為靈活,不僅能向內(nèi)布線,還能向外布線,從而大幅增加芯片的I/O數(shù)量,有效突破了高I/O需求下芯片封裝的瓶頸。

 

TGV技術(shù):扇出型封裝的強大助推器

 

目前,TGV技術(shù)在半導體封裝領(lǐng)域的重要性日益凸顯。它是指以硼硅玻璃、石英玻璃等為基礎材料,通過一系列工藝,如通孔或盲孔成型、種子層濺射、電鍍填充等,來實現(xiàn)三維(3D)互連的技術(shù),是玻璃基板能夠應用于先進封裝的核心所在,為玻璃基板在扇出型封裝中的應用搭建了橋梁。

 

與硅通孔(TSV)技術(shù)相對應,TGV三維互連技術(shù)具備諸多突出優(yōu)勢。從材料特性來看,玻璃屬于絕緣體材料,其介電常數(shù)僅約為硅材料的三分之一,損耗因子更是比硅材料低2-3個數(shù)量級。這一特性使得玻璃基板在信號傳輸過程中,襯底損耗和寄生效應顯著降低,有力地保障了傳輸信號的完整性,在高頻領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應用潛力;從材料獲取方面,Corning、Asahi以及SCHOTT等知名玻璃廠商能夠提供超大尺寸(>2m×2m)和超。<50μm)的面板玻璃以及超薄柔性玻璃材料,為大尺寸超薄玻璃襯底的獲取提供了便利條件;從技術(shù)本身的優(yōu)勢而言,TGV技術(shù)工藝流程相對簡潔,同時,隨著技術(shù)發(fā)展和規(guī)模化生產(chǎn),其在成本控制上更具有潛力,能為企業(yè)帶來更好的經(jīng)濟效益。

 

TGV技術(shù)在扇出型封裝中的應用

 

喬治亞理工學院研究團隊基于TGV技術(shù),在70μm、300mm×300mm規(guī)格的玻璃面板上,成功實現(xiàn)26顆芯片的扇出型封裝,并通過創(chuàng)新工藝有效控制芯片偏移與翹曲問題,該技術(shù)采用分層鍵合互連方案,首先將預制TGV基板與帶有微結(jié)構(gòu)的玻璃空腔基板進行低溫鍵合,構(gòu)建三維互連框架,隨后將芯片精準嵌入玻璃空腔內(nèi),通過RDL工藝實現(xiàn)芯片與TGV基板的電氣連接。廈門大學提出了工藝流程更簡單的嵌入式玻璃扇出(eGFO)封裝技術(shù),取消了鍵合工序,采用激光誘導刻蝕法制備玻璃空腔和TGV,將芯片嵌入玻璃空腔中,并成功應用于77GHz汽車雷達芯片的封裝中。


 

基于玻璃基板的扇出型封裝技術(shù)示意圖 來源:Yu.Development of em bedded glass wafer fan-out package with 2D antenna arrays for 77 GHz millimeter-wave chip

 

展望未來:TGV技術(shù)與扇出型封裝的發(fā)展前景

 

毋庸置疑,TGV技術(shù)憑借其在高頻性能、互連密度、成本潛力等方面的獨特優(yōu)勢,將在扇出型封裝中扮演愈發(fā)關(guān)鍵的角色,二者的深度融合有望為半導體產(chǎn)業(yè)帶來更多的創(chuàng)新與突破。​

 

在未來的發(fā)展中,TGV技術(shù)有望在多個方面取得突破。在工藝方面,隨著新型制造設備和工藝的不斷涌現(xiàn),TGV的加工精度和質(zhì)量將得到進一步提升,同時成本將進一步降低;在散熱技術(shù)方面,新的散熱設計理念和高性能熱管理材料的研發(fā)和應用,將有效克服玻璃基板熱導率低的缺點,滿足高功率芯片日益增長的散熱需求,確保芯片在各種復雜工況下都能穩(wěn)定運行;在測試技術(shù)方面,針對玻璃基板特性專門開發(fā)的高精度測試設備和方法將不斷完善和成熟,為TGV技術(shù)在扇出型封裝中的可靠應用提供堅實的保障,確保每一個封裝產(chǎn)品都能符合嚴格的性能標準。

 

參考來源:

劉丹.玻璃通孔成型工藝及應用的研究進展

Yu.Development of em bedded glass wafer fan-out package with 2D antenna arrays for 77 GHz millimeter-wave chip

SHI.First demonstration of panel glass fan-out (GFO) packages for high I/O density and high frequency multi-chip integration

 

(中國粉體網(wǎng)編輯整理/月明)

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