中國粉體網(wǎng)訊 近日，士蘭微電子旗下廈門士蘭集宏半導體有限公司的8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目，經(jīng)過8個月緊張有序地建設后，正式舉行全面封頂。
來源：今日海滄
杭州士蘭微電子股份有限公司坐落于杭州高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)，是專業(yè)從事集成電路芯片設計以及半導體微電子相關產(chǎn)品生產(chǎn)的高新技術企業(yè)。公司成立于1997年9月，總部在中國杭州，是第一家在中國境內(nèi)上市的集成電路芯片設計企業(yè)。得益于中國電子信息產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，士蘭微電子已成為國內(nèi)規(guī)模最大的集成電路芯片設計與制造一體（IDM）的企業(yè)之一，其技術水平、營業(yè)規(guī)模、盈利能力等各項指標在國內(nèi)同行中均名列前茅。
士蘭微電子建在杭州錢塘新區(qū)的集成電路芯片生產(chǎn)線目前實際月產(chǎn)出達到23萬片，在小于和等于6英寸的芯片制造產(chǎn)能中排在全球第二位。公司8英寸生產(chǎn)線于2017年投產(chǎn)，成為國內(nèi)第一家擁有8英寸生產(chǎn)線的民營IDM產(chǎn)品公司，8英寸線月產(chǎn)能已達6萬片。2023年底，公司12吋特色工藝晶圓生產(chǎn)線月產(chǎn)能已達6萬片，先進化合物半導體制造生產(chǎn)線月產(chǎn)能已達14萬片。
來源：士蘭微電子官網(wǎng)
士蘭集宏項目總投資120億元，分兩期建設，總建筑面積達23.45萬㎡，一期投資70億元，預計2025年四季度初步通線、2026年一季度試生產(chǎn)，達產(chǎn)后年產(chǎn)能42萬片8英寸SiC芯片；二期投產(chǎn)后總產(chǎn)能將提升至72萬片/年，成為全球規(guī)模領先的8英寸SiC功率器件產(chǎn)線。該項目以SiC MOSFET為核心產(chǎn)品，主要服務于新能源汽車主驅(qū)逆變器、光伏逆變器、智能電網(wǎng)等高需求領域。
士蘭集宏項目以“廈門速度”推進，從談判簽約到開工僅用55天，鋼結構首吊于1月21日完成，主廠房核心區(qū)22榀鋼桁架梁半月內(nèi)全部就位。據(jù)悉，士蘭集宏項目達產(chǎn)后可滿足國內(nèi)40%以上的車規(guī)級SiC芯片需求，并帶動上下游產(chǎn)業(yè)鏈集聚廈門，加速第三代半導體材料、設備國產(chǎn)化進程。此外，士蘭微電子已實現(xiàn)第Ⅳ代SiC MOSFET芯片量產(chǎn)，其主驅(qū)模塊已獲國內(nèi)知名車企批量采購，技術實力進一步鞏固。
據(jù)士蘭微電子董事會秘書、副總裁陳越介紹，士蘭集宏力爭到2028年底最終形成，年產(chǎn)42萬片8英寸SiC功率器件芯片的生產(chǎn)能力。屆時，項目可以較好地滿足國內(nèi)新能源汽車所需的碳化硅芯片需求，并有能力向光伏、儲能、充電樁、Ai服務器電源、大型白電智能功率模塊等功率逆變產(chǎn)品提供高性能的碳化硅芯片，同時促進國內(nèi)8英寸碳化硅襯底及相關工藝裝備的協(xié)同發(fā)展。據(jù)悉，項目全面達產(chǎn)后，預計年產(chǎn)值超120億元，助力廈門打造第三代半導體產(chǎn)業(yè)集群，并為中國在全球功率半導體競爭中搶占高地。
業(yè)界表示，士蘭集宏項目的封頂，不僅是士蘭微電子“IDM模式”的又一里程碑，更是中國半導體產(chǎn)業(yè)自主化的重要突破。隨著全球產(chǎn)業(yè)格局加速轉型，SiC芯片的戰(zhàn)略價值日益凸顯，士蘭微電子的布局或?qū)閲a(chǎn)替代開啟新篇章。
參考來源：
今日海滄、士蘭微電子官網(wǎng)、半導體在線
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山林）
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