中國粉體網(wǎng)訊  近日，盛美半導體設(shè)備（上海）股份有限公司發(fā)布公告，宣布其董事會已批準終止原計劃中的“盛美韓國半導體設(shè)備研發(fā)與制造中心”項目，并將原計劃投入該項目的24,500萬元募集資金，變更至首次公開發(fā)行股票募集資金投資項目“盛美半導體設(shè)備研發(fā)與制造中心”。

盛美半導體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“盛美上�！保┏闪⒂�2005年，是上海市政府科教興市項目重點引進的集成電路裝備企業(yè)，是具備世界先進技術(shù)的半導體設(shè)備制造商。盛美上海集研發(fā)、設(shè)計、制造、銷售于一體，為全球客戶提供高端半導體設(shè)備。主要產(chǎn)品有單晶圓及槽式濕法清洗設(shè)備、電鍍設(shè)備、無應(yīng)力拋光設(shè)備、立式爐管設(shè)備、前道涂膠顯影設(shè)備及PECVD設(shè)備等。

來源：盛美半導體設(shè)備（上海）股份有限公司官網(wǎng)

盛美上海無應(yīng)力拋光設(shè)備可應(yīng)用于雙大馬士革和晶圓級封裝，其應(yīng)用的無應(yīng)力拋光技術(shù)是盛美半導體電化學電鍍技術(shù)的一個反向技術(shù)，均基于電化學原理，晶圓被固定在夾具上旋轉(zhuǎn)，并與拋光電源相連接作為陽極；同時電化學拋光液被噴射至晶圓表面，在電流作用下金屬離子從晶圓表面被去除。在硅通孔和扇出工藝應(yīng)用中，先進封裝級無應(yīng)力拋光技術(shù)通過三步工藝，有效的解決其他工藝所引起的晶圓應(yīng)力。在硅通孔工藝中，首先采用無應(yīng)力拋光工藝去除表層的電鍍沉積后的銅層，保留0.2μm厚度；然后采用化學機械研磨工藝進行平坦化將剩余銅層去除，停止至鈦阻擋層；最后使用濕法刻蝕工藝將暴露于表面的非圖形結(jié)構(gòu)內(nèi)鈦阻擋層去除，露出阻擋層下層的氧化層。在扇出工藝中的再布線層(RDL)平坦化應(yīng)用中，同樣的工藝能夠被采用，用于釋放晶圓應(yīng)力，去除表層銅層和阻擋層。

來源：盛美半導體設(shè)備（上海）股份有限公司官網(wǎng)

關(guān)于“盛美韓國半導體設(shè)備研發(fā)與制造中心”項目的終止，盛美上海給出了兩方面的主要原因。

1. 中韓兩國法律制度存在差異，公司在尋找合格的境外銀行以及四方監(jiān)管協(xié)議的擬定、簽署方面遇到了一定難度。經(jīng)過各方多輪磋商，募集資金四方監(jiān)管協(xié)議直到2024年6月末才完成簽署。這一延遲影響了項目資金的及時到位，進而推遲了項目的建設(shè)實施。

2. 隨著2024年上半年全球營商環(huán)境的不斷變化，盛美上海認為此時進行大規(guī)模的固定資產(chǎn)投資存在較大的不確定性，特別是公司及盛美韓國在2024年12月2日被美國工業(yè)和安全局列入“實體清單”，進一步印證了這一判斷。因此，為了維護公司和股東的利益，規(guī)避潛在風險，盛美上海決定終止該項目。

由于“盛美半導體設(shè)備研發(fā)與制造中心”項目建筑主體基本完工，后續(xù)還剩余部分建筑的內(nèi)部裝修、部分設(shè)備的采購和調(diào)試安裝、建筑頂部和周圍的綠化工程尚待完成。為保障項目順利推進，加快項目整體投產(chǎn)進度，公司擬將原計劃投入“盛美韓國半導體設(shè)備研發(fā)與制造中心”的募集資金24,500萬元變更用于“盛美半導體設(shè)備研發(fā)與制造中心”，提高募集資金使用效率和優(yōu)化資源配置的考慮，加快項目建設(shè)進度，確保公司產(chǎn)能建設(shè)目標的實現(xiàn)。

參考來源：

中國表面處理網(wǎng)、半導體封測、盛美半導體設(shè)備（上海）股份有限公司官網(wǎng)、巨潮資訊網(wǎng)

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山林）

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