中國(guó)粉體網(wǎng)訊  近日，晶亦精微CMP設(shè)備實(shí)現(xiàn)臺(tái)灣地區(qū)首臺(tái)CMP設(shè)備的銷售。晶亦精微表示，他們是我國(guó)首家在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)向中國(guó)內(nèi)地以外地區(qū)出口CMP設(shè)備的企業(yè)。

化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical Mechanical Polishing，CMP）技術(shù)具有獨(dú)特的化學(xué)和機(jī)械相結(jié)合的效應(yīng)，是在機(jī)械拋光的基礎(chǔ)上，根據(jù)所要拋光的表面，加入相應(yīng)的化學(xué)試劑，從而達(dá)到增強(qiáng)拋光和選擇性拋光的效果。CMP技術(shù)是從原子水平上進(jìn)行材料去除，從而獲得超光滑和超低損傷表面，該技術(shù)廣泛應(yīng)用于光學(xué)元件、計(jì)算機(jī)硬盤、微機(jī)電系統(tǒng)、集成電路等領(lǐng)域。同時(shí)，CMP技術(shù)也是超精密設(shè)備向精細(xì)化、集成化和微型化發(fā)展的產(chǎn)物。

CMP過程示意圖  來源：孟凡寧等，化學(xué)機(jī)械拋光液的研究進(jìn)展

CMP設(shè)備通過化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同配合作用，在晶圓完成每層布線后實(shí)現(xiàn)全局納米級(jí)平坦化與表面多余材料的高效去除，保證光刻工藝套刻精度和多層金屬互聯(lián)的高質(zhì)量實(shí)現(xiàn)。

Horizon 化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)  來源：晶亦精微官網(wǎng)

北京晶亦精微科技股份有限公司是由北京爍科精微電子裝備有限公司（爍科精微）整體變更發(fā)起設(shè)立的股份有限公司。于2019年9月23日在北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)注冊(cè)成立，是一家國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)。公司聚焦集成電路核心裝備CMP核心主業(yè)，圍繞產(chǎn)業(yè)化和市場(chǎng)化進(jìn)程中亟待突破的技術(shù)和經(jīng)營(yíng)短板，不斷推進(jìn)CMP設(shè)備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，不斷加強(qiáng)能力建設(shè)、構(gòu)建經(jīng)營(yíng)發(fā)展體系，不斷夯實(shí)核心競(jìng)爭(zhēng)力。

來源：晶亦精微官網(wǎng)

晶亦精微在技術(shù)研發(fā)方面投入大，成果顯著，已擁有300多條專利信息。如2024年8月取得的“拋光頭用分體式萬向節(jié)及拋光裝置”專利，該成果降低了加工難度、廢品率及塑性形變甚至斷裂的風(fēng)險(xiǎn)，展現(xiàn)了晶亦精微在半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)創(chuàng)新方面的實(shí)力，為行業(yè)技術(shù)發(fā)展提供了有益借鑒。

來源：行家說三代半

晶亦精微CMP設(shè)備實(shí)現(xiàn)臺(tái)灣地區(qū)首臺(tái)CMP設(shè)備的銷售，這標(biāo)志著晶亦精微在高端半導(dǎo)體設(shè)備制造領(lǐng)域邁出重要一步，體現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)關(guān)鍵設(shè)備在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中日益增強(qiáng)的影響力和競(jìng)爭(zhēng)力。同時(shí)，公司透露，取得這一成績(jī)得益于兩方面。一是晶亦精微在傳統(tǒng)硅基超大規(guī)模集成電路制造領(lǐng)域耕耘多年，實(shí)現(xiàn)了對(duì)中芯國(guó)際、聯(lián)芯等客戶的規(guī)模銷售和大量產(chǎn)品驗(yàn)證，硅基流片量超百萬片。二是晶亦精微的CMP設(shè)備此前已經(jīng)獲得中國(guó)大陸首家6/8英寸SiC器件制造商的認(rèn)證和訂單，保守估計(jì)流片量超過一萬片。

參考來源：

[1] 行家說三代半、芯榜IPO 、晶亦精微官網(wǎng)

[2] 孟凡寧等，化學(xué)機(jī)械拋光液的研究進(jìn)展

（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/山林）

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