中國粉體網(wǎng)訊  11月4日，晶盛機電舉行“年產(chǎn)25萬片6英寸、5萬片8英寸碳化硅襯底片項目”簽約暨啟動儀式，旨在加快半導體材料端的關鍵核心技術攻關，實現(xiàn)國產(chǎn)化替代，這一舉措標志著晶盛機電在半導體材料領域的技術實力和市場競爭力將進一步提升。

此次簽約項目總投資21.2億元，建成后，晶盛機電將利用自身的技術和資源優(yōu)勢，加快碳化硅襯底片的關鍵核心技術攻關和產(chǎn)業(yè)化，加速推進第三代半導體材料國產(chǎn)化進程。

盛晶電機自2017年開始碳化硅晶體生長設備和工藝的研發(fā)，相繼成功開發(fā)6英寸、8英寸碳化硅晶體和襯底片，是國內(nèi)為數(shù)不多能供應8英寸襯底片的企業(yè)。目前，公司已建設了6-8 英寸碳化硅晶體生長、切片、拋光中試線，6英寸襯底片已通過多家下游企業(yè)驗證，正處于快速上量階段，8英寸襯底片處于小批量試制階段。

作為第三代半導體材料，SiC具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、優(yōu)異的導熱性能等優(yōu)點。其在高溫、高壓和高頻應用中的出色性能使其成為半導體材料領域的基石。在下游需求增長的推動下，SiC產(chǎn)業(yè)正處于高速擴張階段。根據(jù)億渡數(shù)據(jù)，目前，國內(nèi)襯底產(chǎn)能布局以4-6英寸為主，已有25家企業(yè)已在襯底環(huán)節(jié)布局，新項目投資額約為300億元。

國內(nèi)外碳化硅襯底廠商產(chǎn)能規(guī)劃，來源：申萬宏源

全球碳化硅襯底市場規(guī)模保持高速增長，預計2022-2026年CAGR將達 24.8%。 根據(jù)Yole及Wolfspeed數(shù)據(jù)，2022年全球碳化硅襯底市場規(guī)模為7億美元， 預計2024年市場規(guī)模將增長至12.5億美元，預計2026年市場規(guī)模將增長至 17億美元，2022-2026年CAGR達24.8%。

作為國內(nèi)領先的半導體材料裝備企業(yè)，晶盛機電始終圍繞“先進材料、先進裝備”的雙引擎可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略，深化半導體產(chǎn)業(yè)鏈的上下游協(xié)同合作，向下游晶體材料深加工延伸，通過技術創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)升級，聚力解決國家核心材料自主供給，保障國家戰(zhàn)略安全，為我國半導體材料產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入新的活力。

來源：盛晶電機、未來智庫

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）

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