中國粉體網(wǎng)訊 三菱電機日本福山功率器件工廠完成首條12英寸硅晶圓加工生產(chǎn)線的安裝，計劃2025財年開始在12英寸硅晶圓新產(chǎn)線上量產(chǎn)，穩(wěn)定供應(yīng)功率半導(dǎo)體器件，同時布局第四代寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鎵，接下來將繼續(xù)研究氧化鎵功率芯片和功率器件。
12英寸硅晶圓（左）和8英寸晶圓（右）
8月29日，三菱電機宣布其位于日本福山的功率器件工廠完成首條12英寸硅晶圓加工生產(chǎn)線的安裝，樣品生產(chǎn)和測試驗證了該生產(chǎn)線加工的功率半導(dǎo)體芯片達(dá)到了要求的性能水平。三菱電機計劃2025財年開始在新的12英寸硅晶圓線上大規(guī)模生產(chǎn)，推動穩(wěn)定供應(yīng)功率半導(dǎo)體器件。功率半導(dǎo)體又稱電力電子器件，其典型的功率處理功能包括變頻、變壓、變流、功率放大、功率管理等。三菱電機成立于1921年，開發(fā)和生產(chǎn)半導(dǎo)體67年，功率半導(dǎo)體是其業(yè)務(wù)增長的主要動力，其半導(dǎo)體產(chǎn)品應(yīng)用于變頻家電、軌道牽引、工業(yè)與新能源、電動汽車、模擬/數(shù)字通訊以及有線/無線通訊等領(lǐng)域。
“三菱電機將集中精力開發(fā)12英寸硅晶圓和8英寸碳化硅（SiC）晶圓�！比怆姍C半導(dǎo)體大中國區(qū)總經(jīng)理赤田智史8月30日表示。今年3月，三菱電機宣布將在2026年3月前的五年內(nèi)投資約2600億日元，主要用于新建晶圓廠，增加碳化硅功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)，并計劃2026年4月開始稼動位于日本熊本縣菊池市的8英寸碳化硅晶圓新工廠。
位于熊本縣合志市的6英寸碳化硅晶圓廠也要擴產(chǎn)，到2026年碳化硅產(chǎn)能預(yù)計擴大到目前的5倍左右。赤田智史表示，預(yù)計到2030年，三菱電機碳化硅功率模塊營收占比將提升到30%以上。
三菱電機也在布局研發(fā)第四代寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鎵。今年7月，三菱電機宣布入股成立于2015年的Novel Crystal Technology，該公司主要開發(fā)新型半導(dǎo)體材料氧化鎵。雙方將合作開發(fā)氧化鎵功率半導(dǎo)體，三菱電機功率器件制作所高級技術(shù)顧問近藤晴房表示，碳化硅功率模塊的商業(yè)化應(yīng)用已超10年，現(xiàn)在是時候?qū)胄碌膶捊麕Р牧狭�，作為新型半�?dǎo)體材料，氧化鎵肯定會面臨很多技術(shù)挑戰(zhàn)，三菱電機接下來將繼續(xù)研究氧化鎵功率芯片和功率器件。
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）
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