中國粉體網(wǎng)訊 2023年6月29日，天岳先進攜8英寸碳化硅襯底最新技術動態(tài)亮相Semicon China展會，受到高度關注。公司CTO高超博士在同期舉辦的功率及化合物半導體產(chǎn)業(yè)國際論壇公開了天岳先進最新進展。
來源：天岳先進
據(jù)介紹，在產(chǎn)品方面，目前天岳先進以6英寸導電型碳化硅襯底為主；產(chǎn)能方面，上海臨港工廠已于5月3日舉行交付儀式，公司預計隨著公司技術的快速提升，將盡早實現(xiàn)臨港工廠第一階段30萬片的產(chǎn)能目標。通過自主擴徑技術制備的高品質8英寸產(chǎn)品，目前也已經(jīng)具備產(chǎn)業(yè)化能力。
碳化硅的本身特性決定了其單晶生長難度較大，目前比較主流的方法有物理氣相傳輸法（PVT法）、液相法以及高溫氣相化學沉積法等。其中，液相法生長碳化硅晶體由于更接近熱力學平衡條件，有望生長質量很好的碳化硅晶體，相比于PVT法生長碳化硅，液相法具有位錯密度低、易于實現(xiàn)擴徑、可以獲得P型晶體等優(yōu)點，另外，成本上的降低也是液相法的一大優(yōu)勢。
近日，天岳先進采用液相法制備出了低缺陷的8英寸晶體，通過熱場、溶液設計和工藝創(chuàng)新突破了碳化硅單晶高質量生長界面控制和缺陷控制難題，尚屬業(yè)內(nèi)首創(chuàng)。
除了產(chǎn)品尺寸，在大尺寸單晶高效制備方面，天岳先進采用最新技術制備的晶體厚度已突破 60mm，這對提升產(chǎn)能具有重要的意義，該技術也是天岳先進重點布局的技術方向之一。
在新能源汽車、光伏、儲能等市場持續(xù)推動下，今年以來，國際半導體巨頭紛紛聯(lián)手國產(chǎn)碳化硅襯底、材料等環(huán)節(jié)巨頭，進軍8英寸碳化硅。據(jù)悉，8英寸的面積較6英寸增加了約78%，同等條件下從8英寸襯底切出的芯片數(shù)將提升近90%，可將單位綜合成本降低50%。
今年5月份，天岳先進與英飛凌簽訂一項新的晶圓和晶錠供應協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，天岳先進將為英飛凌供應用于制造碳化硅半導體的高質量并且有競爭力的6英寸碳化硅襯底和晶棒，第一階段將側重于6英寸碳化硅材料，但天岳先進也將助力英飛凌向8英寸碳化硅晶圓過渡。值得一提的是，天岳先進的供應量預計將占到英飛凌長期需求量的兩位數(shù)份額。
此外，博世集團也與天岳先進簽署了戰(zhàn)略合作長期協(xié)議，以鎖定芯片制造關鍵材料碳化硅襯底的需求。
隨著全球能源電氣化、低碳化的發(fā)展趨勢，碳化硅半導體材料和器件將發(fā)揮越來越重要的作用，天岳先進表示，公司看好行業(yè)長遠發(fā)展?jié)摿Γ⑴ψ龊眉夹g突破和產(chǎn)能提升，繼續(xù)引領發(fā)展，提升公司的長遠價值。
來源：天岳先進、IT之家、中國經(jīng)營網(wǎng)
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）
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