中國(guó)粉體網(wǎng)訊 4月7日，中國(guó)汽車(chē)芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟功率半導(dǎo)體分會(huì)在長(zhǎng)沙成立，將加快汽車(chē)功率芯片的國(guó)產(chǎn)化。在成立大會(huì)暨汽車(chē)功率芯片發(fā)展研討會(huì)期間，第一財(cái)經(jīng)記者獲悉，汽車(chē)結(jié)構(gòu)性缺芯給國(guó)產(chǎn)芯片帶來(lái)機(jī)會(huì)，降本提質(zhì)是國(guó)產(chǎn)功率芯片尤其是碳化硅功率半導(dǎo)體“上車(chē)”的關(guān)鍵；三安光電用于電動(dòng)車(chē)主驅(qū)的碳化硅功率半導(dǎo)體有望今年四季度正式“上車(chē)”。
汽車(chē)結(jié)構(gòu)性缺芯給國(guó)產(chǎn)芯片帶來(lái)機(jī)會(huì)
有行業(yè)專(zhuān)家向第一財(cái)經(jīng)記者表示，一輛電動(dòng)車(chē)如果前驅(qū)與后驅(qū)都用功率半導(dǎo)體，功率半導(dǎo)體約占電機(jī)控制器的成本50%。奇瑞汽車(chē)研發(fā)總院芯片規(guī)劃總監(jiān)郭宇輝告訴第一財(cái)經(jīng)記者，功率半導(dǎo)體，包括IGBT、碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體；業(yè)內(nèi)共識(shí)是，20萬(wàn)元以?xún)?nèi)的電動(dòng)車(chē)用IGBT，20萬(wàn)元以上的電動(dòng)車(chē)用碳化硅功率半導(dǎo)體；碳化硅功率半導(dǎo)體損耗小、耐高壓、耐高溫，是功率半導(dǎo)體的未來(lái)發(fā)展方向之一。
郭宇輝說(shuō)，目前汽車(chē)業(yè)仍結(jié)構(gòu)性缺芯，比如，電源類(lèi)、控制類(lèi)、通信類(lèi)、計(jì)算類(lèi)、功率類(lèi)的芯片均緊缺。像碳化硅芯片項(xiàng)目投資建設(shè)期需18-24個(gè)月，去年有許多碳化硅項(xiàng)目的投資，要2025年才會(huì)釋放產(chǎn)能，預(yù)計(jì)2025年碳化硅功率半導(dǎo)體的緊缺狀況才會(huì)得到緩解。
今年，奇瑞汽車(chē)在功率半導(dǎo)體方面，會(huì)盡力保障供應(yīng)鏈安全，國(guó)產(chǎn)化是解決缺芯風(fēng)險(xiǎn)的辦法之一。郭宇輝說(shuō)，目前，國(guó)內(nèi)的碳化硅供應(yīng)商，還沒(méi)有大規(guī)模供應(yīng)車(chē)規(guī)產(chǎn)品。加工硅要1500°C，加工碳化硅要2500°C；硅基襯底制作時(shí)間是兩三天，碳化硅襯底制作時(shí)間是兩三周。碳化硅器件的工藝要求高，所以成本約是硅基器件的數(shù)倍�，F(xiàn)在，碳化硅功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)工藝還不夠成熟，良率不是很高，成本較高，未來(lái)成本一定要降下來(lái)。
作為國(guó)內(nèi)主要的碳化硅供應(yīng)商之一，三安半導(dǎo)體投資160億元的長(zhǎng)沙碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈工廠，2021年6月一期工程投產(chǎn)，6英寸碳化硅晶圓產(chǎn)能爬坡至15000片/月，二期工程預(yù)計(jì)2023年完工，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)能50萬(wàn)片6英寸碳化硅晶圓。三安半導(dǎo)體銷(xiāo)售副總經(jīng)理張真榕向第一財(cái)經(jīng)記者表示，三安將抓住2024年、2025年汽車(chē)業(yè)結(jié)構(gòu)性缺芯的機(jī)會(huì)，加快推進(jìn)國(guó)產(chǎn)碳化硅“上車(chē)”進(jìn)程，三安用于主驅(qū)的碳化硅功率半導(dǎo)體有望2023年四季度正式“上車(chē)”。
國(guó)內(nèi)另一家碳化硅器件提供商泰科天潤(rùn)的相關(guān)負(fù)責(zé)人也說(shuō)，“上車(chē)”是功率半導(dǎo)體企業(yè)想努力達(dá)成的目標(biāo)。中國(guó)汽車(chē)芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟功率半導(dǎo)體分會(huì)的成立，將為車(chē)用功率半導(dǎo)體的國(guó)產(chǎn)化創(chuàng)造更好條件，希望同行共同努力，也希望得到整車(chē)廠更多支持。
（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/空青）
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