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碳化硅特種制品 反應燒結(jié)碳化硅窯具系列標準
碳化硅陶瓷材料由于強度高，熱導率高，熱膨脹系數(shù)低，耐熱沖擊性好，用于各種使用條件苛刻的環(huán)境，尤其反應燒結(jié)碳化硅陶瓷的抗氧化性較好，且具有良好的耐磨性和導熱性，是一種應用范圍廣泛的窯具材料。近年來，隨著鋰電等新能源產(chǎn)業(yè)的爆發(fā)，反應燒結(jié)碳化硅陶瓷輥棒等窯具產(chǎn)品需求強烈。
此次即將實施的相關(guān)標準有：《碳化硅特種制品 反應燒結(jié)碳化硅窯具 第2部分：異形梁》（GB/T 21944.2-2022），《碳化硅特種制品 反應燒結(jié)碳化硅窯具 第3部分：輥棒》（GB/T 21944.3-2022），《碳化硅特種制品 反應燒結(jié)碳化硅窯具 第4部分：燒嘴套》（GB/T 21944.4-2022）。
該系列國家標準由TC139（全國磨料磨具標準化技術(shù)委員會）歸口，TC139SC2（全國磨料磨具標準化技術(shù)委員會普通磨具及碳化硅特種制品分會）執(zhí)行，主管部門為中國機械工業(yè)聯(lián)合會。主要起草單位為濰坊華美精細技術(shù)陶瓷股份有限公司、山東金鴻新材料股份有限公司、濰坊致達特種陶瓷有限公司等。
《鋁基復合材料 碳化硅體積分數(shù)試驗方法 溶解法》（GB/T 41737-2022）
SiC具有高強度、高模量等特性，是應用廣泛的一種增強體。在Al合金中引入SiCp，可大幅度提高材料彈性模量，改善高低溫強度等性能。SiCp/Al材料具有優(yōu)良性能及高性價比優(yōu)勢，在航空航天、汽車、電子等領(lǐng)域內(nèi)有廣闊應用前景。
該標準由TC572（全國碳纖維標準化技術(shù)委員會）歸口，主管部門為國家標準化管理委員會。主要起草單位為江蘇省產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗研究院、中鋁材料應用研究院有限公司等。
陶瓷軸承相關(guān)標準
在現(xiàn)代工業(yè)中，高溫、低溫、高速、強腐蝕、真空、無磁、絕緣、免維護等苛刻環(huán)境下，傳統(tǒng)金屬材質(zhì)軸承無法滿足使用要求，于是人們把目光投向了先進陶瓷材料，與傳統(tǒng)金屬材質(zhì)相比，以氮化硅為代表的陶瓷軸承具有長壽命、耐高溫、耐腐蝕和超高速等優(yōu)異的綜合性能，被廣泛應用于航空航天、核能、冶金、石油、化工等工業(yè)領(lǐng)域。
《滾動軸承球用氮化硅材料 室溫壓痕斷裂阻力試驗方法 壓痕法》（GB/T 41605-2022）
該標準由TC194（全國工業(yè)陶瓷標準化技術(shù)委員會）歸口，主管部門為中國建筑材料聯(lián)合會。主要起草單位有中材高新氮化物陶瓷有限公司、山東工業(yè)陶瓷研究設(shè)計院有限公司、合肥匯智新材料科技有限公司、深圳市昊擎科技有限公司、浙江精久軸承工業(yè)有限公司、江西工陶院精細陶瓷有限公司、江蘇力星通用鋼球股份有限公司、洛陽LYC軸承有限公司、泰晟新材料科技有限公司、山東國瓷功能材料股份有限公司、東阿海鷗鋼球有限公司等。
《滾動軸承 陶瓷圓柱滾子 外形尺寸、產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范（GPS）和公差值》
該標準由TC98（全國滾動軸承標準化技術(shù)委員會）歸口，主管部門為中國機械工業(yè)聯(lián)合會。主要起草單位有洛陽軸承研究所有限公司、常熟長城軸承有限公司、國創(chuàng)（洛陽）軸承產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司、江蘇力星通用鋼球股份有限公司等。
鈦酸鋇基高抗電強度低電阻率熱敏陶瓷（GB/T 41606-2022）
該標準由TC194（全國工業(yè)陶瓷標準化技術(shù)委員會）歸口，主管部門為中國建筑材料聯(lián)合會。主要起草單位有華中科技大學、孝感華工高理電子有限公司、江蘇新林芝電子科技股份有限公司、湖南省美程陶瓷科技有限公司、浙江哈億曼電子科技有限公司、深圳安培龍科技股份有限公司、上海子譽電子陶瓷有限公司、貴州凱里經(jīng)濟開發(fā)區(qū)中昊電子有限公司、佛山市南海蜂窩電子制品有限公司、寧波桑尼電子有限公司、宜都市博通電子有限責任公司、湖北亞星電子材料有限公司、山東工業(yè)陶瓷研究設(shè)計院有限公司等。
《氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑測試方法》（GB/T 41751-2022）
氮化鎵作為第三代半導體代表材料目前已被廣泛應用于各種光電子器件和電力電子器件，對于氮化鎵半導體材料而言，其單晶的生長和加工二者相輔相成，缺一不可。單晶加工技術(shù)是器件制備的基礎(chǔ)和保障，任何生長獲得的單晶材料只有在高效的加工技術(shù)的支撐下得到表面平整的晶片，其優(yōu)異性能才可以在器件中獲得完美體現(xiàn)，其中，晶面曲率半徑是判定晶片平整度的重要指標。
國家標準《氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑測試方法》（GB/T 41751-2022）由TC203（全國半導體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會）歸口，TC203SC2（全國半導體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會材料分會）執(zhí)行，主管部門為國家標準化管理委員會。主要起草單位有中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、蘇州納維科技有限公司、中國電子科技集團公司第四十六研究所、哈爾濱奧瑞德光電技術(shù)有限公司、廈門柯譽爾科技有限公司、山西華晶恒基新材料有限公司、福建兆元光電有限公司等 。
信息來源：全國標準信息公共服務平臺
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川）
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