中國粉體網(wǎng)訊  在新馬工業(yè)園內(nèi)，湖南德智新材料有限公司半導(dǎo)體用碳化硅蝕刻環(huán)項目完成了主體工程建設(shè)，并預(yù)計在明年初投產(chǎn)。據(jù)了解此次半導(dǎo)體用碳化硅蝕刻環(huán)項目，總投資約2.5億元，主要用于半導(dǎo)體用碳化硅蝕刻環(huán)的研發(fā)、制造，投產(chǎn)后年產(chǎn)值超1億元。

來源：pexels

芯片制造在電子學(xué)中概述為是一種把電路小型化的方式，其中，刻蝕的目的是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩膜圖形，通常采用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，等離子體刻蝕技術(shù)逐漸成為納米量級的半導(dǎo)體器件制備和微納制造工藝中廣泛應(yīng)用的刻蝕技術(shù)。由于微小粒子會引起微電子元器件和電路缺陷，降低成品率，要求微小粒子尺寸必須小于最小器件特征尺寸的 1/10，所以半導(dǎo)體芯片必須在無塵室中制造。隨著圖形尺寸的減小，對微小粒子尺寸的控制要求變得更加嚴格，而解決半導(dǎo)體芯片制造污染問題的關(guān)鍵是找到污染源。隨著半導(dǎo)體制造工藝技術(shù)的不斷提高，如今對空氣、化學(xué)品和生產(chǎn)人員污染的控制變得越來越先進，使得設(shè)備成為污染控制的焦點。

離子注入過程中的顆粒污染

因此，在整個刻蝕環(huán)節(jié)，無論是對刻蝕環(huán)境還是參與刻蝕的設(shè)備零部件，必須保證其不會產(chǎn)生污染。

所以，SiC刻蝕環(huán)作為半導(dǎo)體材料在等離子刻蝕環(huán)節(jié)中的關(guān)鍵耗材，其純度要求極高。一般只能采用CVD工藝進行生長SiC厚層塊體，隨后經(jīng)精密加工而制得，主要用于半導(dǎo)體刻蝕工藝的制備環(huán)節(jié)。長期以來，圍繞半導(dǎo)體及其配套材料的發(fā)展一直是我國生產(chǎn)制造中的薄弱環(huán)節(jié)，但因其技術(shù)壁壘高，長期被美、日、德等國所壟斷，一直是被“卡脖子”的關(guān)鍵材料之一。

據(jù)了解湖南德智新材料有限公司是一家專業(yè)從事碳化硅納米鏡面涂層及陶瓷基復(fù)合材料研發(fā)，生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)。2018年，德智新材落戶動力谷自主創(chuàng)新園。隨后，其自主設(shè)計的國內(nèi)最大化學(xué)氣相沉積設(shè)備完成調(diào)試投入使用。這個設(shè)備能在高溫、高真空環(huán)境下合成鏡面納米碳化硅涂層。目前，德智新材成為國內(nèi)最大單晶太陽能生產(chǎn)企業(yè)——隆基股份等龍頭企業(yè)的供貨商。

參考來源：

[1]紅網(wǎng)時刻新聞

[2]譚毅成等.耐等離子刻蝕陶瓷的研究現(xiàn)狀

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川）

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