日本科學家開發(fā)出一種純度極高的碳化硅晶體，以該晶體制成的半導體將大大提高電子設備的效率。如果這項技術能夠推廣到工業(yè)生產(chǎn)，將使電子業(yè)發(fā)生革命性的進步。

　　在碳化硅多種結(jié)晶類型中，立方體單結(jié)晶的電性能最佳。與硅相比，碳化硅的導電率高、抗輻射性好，并且可以在超高溫下發(fā)揮作用。如果用碳化硅制成半導體，可大大減少電子設備的內(nèi)部消耗，提高電子設備的效率。

　　多年以來，科學家一直希望用碳化硅代替硅來制作半導體。然而，高品質(zhì)結(jié)晶不易培育。普通技術培育的晶體生長到幾個厘米后就會出現(xiàn)明顯的溝道，造成晶體短路，因此無法使用在電子設備中。

　　日本豐田中央研發(fā)實驗室的科學家在《自然》雜志上報告說，他們采取了一種特殊的方式分階段培育碳化硅晶體。在每一階段，研究人員將晶體的生長控制在最干凈的一個表面上。熱的碳化硅蒸氣逐漸沉積，當晶體的邊擴展到7厘米時，其上的溝道就逐漸消失了。研究人員報告說，這種方法培育出的晶體的溝道數(shù)量只有傳統(tǒng)方式培育出的晶體的溝道數(shù)量的1％。

　　英國電子專家在接受《自然》雜志采訪時說，碳化硅半導體的發(fā)展前景廣闊。使用硅半導體的電子設備，有50％的電能內(nèi)耗掉了。如果采用碳化硅，可使電能利用效率提高到70％。